|
Страница 15
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26
1.4.1.3. скорость подачи песка
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после
пескоструйной очистки
1.4.3. Параметры окончательно обработанной поверхности
1.5. Технические параметры защитного покрытия:
1.5.1. Материал защитного покрытия
1.5.2. Размещение защитного покрытия
2. Терминология, используемая при определении технологических
параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов, указанных
в таблице:
2.1. Атмосферные параметры:
2.1.1. Состав атмосферы
2.1.2. Атмосферное давление
2.2. Временные параметры
2.3. Температурные параметры
2.4. Параметры слоя
2.5. Коэффициент параметров преломления
3. Терминология, используемая в технологиях для обработки
покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым
песчаником:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби
3.1.2. Размер дроби
3.1.3. Скорость подачи дроби
3.2. Параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником
3.3. Параметры цикла горячей обработки:
3.3.1. Атмосферные параметры:
3.3.1.1. состав атмосферы
3.3.1.2. атмосферное давление
3.3.2. Температурно-временные циклы
3.4. Визуальные и макроскопические критерии горячей обработки
для последующего нанесения покрытия на подложку
4. Терминология, используемая в технологиях для определения
технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек,
указанных в таблице:
4.1. Критерии статического выборочного контроля
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Усиления
4.2.2. Равномерности толщины покрытия
4.2.3. Целостности покрытия
4.2.4. Состава покрытия
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки
4.2.6. Микроструктурной однородности
4.3. Критерии для оценки оптических свойств:
4.3.1. Отражательная способность
4.3.2. Прозрачность
4.3.3. Поглощение
4.3.4. Рассеяние
5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах,
связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения
поверхности, указанными в таблице:
5.1. Для химического осаждения паров:
5.1.1. Состав и формулировка источника покрытия
5.1.2. Состав несущего газа
5.1.3. Температура подложки
5.1.4. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.1.5. Контроль и изменение дозировки газа
5.2. Для термального сгущения - физического осаждения паров:
5.2.1. Состав слитка или источника материала покрытия
5.2.2. Температура подложки
5.2.3. Состав химически активного газа
5.2.4. Норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого
материала
5.2.5. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.2.6. Контроль и изменение дозировки газа
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. длина волны
5.2.7.2. плотность мощности
5.2.7.3. длительность импульса
5.2.7.4. периодичность импульсов
5.2.7.5. источник
5.2.7.6. ориентация подложки
5.3. Для цементации с предварительной обмазкой:
5.3.1. Состав обмазки и формулировка
5.3.2. Состав несущего газа
5.3.3. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и объемы распределения
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа
5.4.3. Температура подложки
5.4.4. Параметры мощности плазменной пушки
5.4.5. Дистанция напыления
5.4.6. Угол напыления
5.4.7. Состав покрывающего газа, давление и скорость потока
5.4.8. Контроль и изменение дозировки плазменной пушки
5.5. Для металлизации распылением:
5.5.1. Состав и структура мишени
5.5.2. Геометрическая регулировка положения деталей и мишени
5.5.3. Состав химически активного газа
5.5.4. Высокочастотное подмагничивание
5.5.5. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.5.6. Мощность триода
5.5.7. Изменение дозировки
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Контроль и изменение дозировки пучка
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов
5.6.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами
скорости осаждения
5.6.4. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.7. Для ионного гальванического покрытия:
5.7.1. Контроль и изменение дозировки пучка
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов
5.7.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами
скорости осаждения
5.7.4. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.7.5. Скорость подачи покрывающего материала и скорость
испарения
5.7.6. Температура подложки
5.7.7. Параметры наклона подложки
-----------T----------------------------------T--------------------
N позиции ¦ Наименование ¦Код товарной
¦ ¦номенклатуры
¦ ¦внешнеэкономической
¦ ¦деятельности
-----------+----------------------------------+--------------------
Категория 3. Электроника
3.1. Системы, оборудование и
компоненты
Примечания: 1. Контрольный
статус оборудования и
компонентов, указанных в пункте
3.1, других, нежели те, которые
указаны в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.10 или в пункте
3.1.1.1.12, которые специально
разработаны или имеют те же
самые функциональные
характеристики, как и другое
оборудование, определяется по
контрольному статусу другого
оборудования.
2. Контрольный статус
интегральных схем,
указанных в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 или в пункте
3.1.1.1.12, программы которых не
могут быть изменены, или
разработанных для выполнения
конкретных функций для другого
оборудования, определяется по
контрольному статусу другого
оборудования.
Особое примечание. В тех
случаях, когда изготовитель или
заявитель не может определить
контрольный статус другого
оборудования, этот статус
определяется контрольным
статусом интегральных схем,
указанных в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 или пункте
3.1.1.1.12; если интегральная
схема является
кремниевой микросхемой микроЭВМ
или микросхемой
микроконтроллера, указанных в
пункте 3.1.1.1.3, и имеет длину
слова операнда 8 бит или менее,
то ее контрольный статус должен
определяться в соответствии с
пунктом 3.1.1.1.3.
3.1.1. Электронные компоненты, такие,
как:
3.1.1.1. нижеперечисленные интегральные
микросхемы общего назначения:
Примечания: 1. Контрольный
статус готовых пластин или
полуфабрикатов для их
изготовления, на которых
воспроизведена конкретная
функция, оценивается по
параметрам, указанным в пункте
3.1.1.1.
2. Понятие "интегральные схемы"
включает следующие типы:
твердотельные интегральные
схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные
схемы;
пленочные интегральные схемы,
включая интегральные схемы типа
"кремний на сапфире";
оптические интегральные схемы.
3.1.1.1.1. интегральные схемы, 8542
спроектированные или
определяемые как радиационно
стойкие, выдерживающие любое из
следующих воздействий:
а) общую дозу 5 х 10E-3 Гр
(кремний) [5 х 10E-5 рад
(кремний)] или выше или
б) предел мощности дозы 5 х 10E-6
Гр/с (кремний) [5 х 10E-8 рад
(кремний)]/с или выше
3.1.1.1.2. микропроцессорные микросхемы, 8542
микрокомпьютерные микросхемы,
микросхемы микроконтроллеров,
интегральные схемы памяти,
изготовленные на
полупроводниковых соединениях,
аналого-цифровые
преобразователи, цифроаналоговые
преобразователи,
электронно-оптические или
оптические интегральные
схемы для обработки
сигналов, программируемые
пользователем матрицы логических
ключей на полевых транзисторах,
программируемые пользователем
логические матрицы полевых
транзисторов, интегральные схемы
для нейронных сетей, заказные
интегральные схемы, у которых
функция неизвестна либо
производителю не известно,
распространяется ли контрольный
статус на аппаратуру, в которой
будут
использоваться данные
интегральные схемы, процессоры
быстрого преобразования Фурье,
интегральные схемы электрически
программируемых постоянных
запоминающих устройств (ЭППЗУ),
программируемые с
ультрафиолетовым стиранием, и
статических запоминающих
устройств с произвольной
выборкой (СЗУПВ), имеющие любую
из следующих характеристик:
а) работоспособные при
температуре окружающей среды
выше 398 К (+125°C);
б) работоспособные при
температуре окружающей среды
ниже 218 К (-55°C) или
в) работоспособные за пределами
диапазона температур окружающей
среды от 218 К (-55°C) до 398 К
(+125°C)
Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не
распространяется на интегральные
схемы, применяемые для
гражданских автомобилей и
железнодорожных поездов.
3.1.1.1.3. микропроцессорные микросхемы,
микрокомпьютерные микросхемы и
микросхемы микроконтроллеров,
имеющие любую из следующих
характеристик:
Примечание. Пункт 3.1.1.1.3
включает процессоры цифровых
сигналов, цифровые матричные
процессоры и цифровые
сопроцессоры.
3.1.1.1.3.1. совокупную теоретическую 854211870
производительность (СТП) 260
млн. теоретических операций в
секунду (Мтопс) или более и
арифметико-логическое устройство
с длиной выборки 32 бит или
более
3.1.1.1.3.2. изготовленные на 8542
полупроводниковых соединениях и
работающие на тактовой частоте,
превышающей 40 МГц, или
3.1.1.1.3.3. более чем одну шину данных или 854211760
команд, или порт
последовательной связи для
внешнего межсоединения в
параллельный процессор со
скоростью передачи, превышающей
2,5 Мбит/с
3.1.1.1.4. интегральные схемы памяти, 854211550;
изготовленные на 854211720;
полупроводниковых соединениях 854211760
3.1.1.1.5. интегральные схемы для 854211830-
аналого-цифровых и цифроаналоговых 854211870;
преобразователей, такие, как: 854211990;
а) аналого-цифровые 854220100;
854220900
преобразователи, имеющие любую
из следующих характеристик:
1) разрешающую способность 8 бит
или более, но меньше 12 бит с
общим временем преобразования до
максимальной разрешающей
способности менее 10 нс;
2) разрешающую способность 12
бит с общим временем
преобразования до максимальной
разрешающей способности менее
200 нс или
3) разрешающую способность более
12 бит с общим временем
преобразования до максимальной
разрешающей способности менее 2
мкс;
б) цифроаналоговые
преобразователи с разрешающей
способностью 12 бит и более и
временем выхода на
установившийся режим менее 10 нс
3.1.1.1.6. электронно-оптические и 854219
оптические интегральные схемы
для обработки сигналов, имеющие
одновременно все перечисленные
составляющие:
а) один внутренний лазерный диод
или более;
б) один внутренний
светочувствительный элемент или
более и
в) оптические волноводы
3.1.1.1.7. программируемые пользователем 854211300
матрицы логических ключей на
полевых транзисторах, имеющие
любую из следующих
характеристик:
а) эквивалентное количество
годных вентилей более 30000 (в
пересчете на двухвходовые) или
б) типовое время задержки
основного логического элемента
менее 0,4 нс
3.1.1.1.8. программируемые пользователем 854211910
логические матрицы полевых
транзисторов, имеющие хотя бы
одну из следующих характеристик:
а) эквивалентное количество
годных вентилей более 30000 (в
пересчете на двухвходовые) или
б) частоту переключения,
превышающую 133 МГц
3.1.1.1.9. интегральные схемы для нейронных 854219
сетей
3.1.1.1.10. заказные интегральные схемы, у 854219
которых функция неизвестна либо
производителю не известно,
распространяется ли контрольный
статус на аппаратуру, в которой
будут использоваться данные
интегральные схемы, имеющие
любую из следующих
характеристик:
а) свыше 208 выводов;
б) типовое время задержки
основного логического элемента
менее 0,35 нс или
в) рабочую частоту, превышающую
3 ГГц
3.1.1.1.11. цифровые интегральные схемы, 854211990
отличающиеся от указанных в
пунктах 3.1.1.1.3-3.1.1.1.10 и
3.1.1.1.12, созданные на основе
какого-либо полупроводникового
соединения и имеющие любую из
следующих характеристик:
а) эквивалентное количество
годных вентилей более 300 (в
пересчете на двухвходовые) или
б) частоту переключения,
превышающую 1,2 ГГц
3.1.1.1.12. процессоры быстрого 854211810;
преобразования Фурье, имеющие 854211830
любую из следующих 854211850;
характеристик: 854211870
а) расчетное время выполнения
комплексного 1024-точечного
быстрого преобразования Фурье
менее 1 мс;
б) расчетное время выполнения
комплексного N-точечного
сложного быстрого преобразования
Фурье, отличного от
1024-точечного, менее чем
Nlog2N/10240 мс, где N - число
точек, или
в) производительность алгоритма
"бабочка" более 5,12 МГц
3.1.1.2. компоненты микроволнового или
миллиметрового диапазона, такие,
как:
3.1.1.2.1. нижеперечисленные электронные
вакуумные лампы и катоды:
Примечание. По пункту 3.1.1.2.1
не контролируются лампы,
разработанные или
спроектированные для работы в
стандартном диапазоне частот
установленном Международным
союзом электросвязи, с
частотами, не превышающими 31
ГГц.
3.1.1.2.1.1. лампы бегущей волны импульсного 854049000
или непрерывного действия,
такие, как:
а) работающие на частотах,
превышающих 31 ГГц;
б) имеющие элемент подогрева
катода со временем от включения
до выхода лампы на предельную
радиочастотную мощность менее 3
с;
в) лампы с сопряженными
резонаторами или их модификации
с мгновенной шириной полосы
частот более 7% или пиком
мощности, превышающим 2,5 кВт;
г) спиральные лампы или их
модификации, имеющие любую из
следующих характеристик:
1) мгновенную ширину полосы
более одной октавы и
произведение средней мощности
(выраженной в кВт) на рабочую
частоту (выраженную в ГГц) более
0,5;
2) мгновенную ширину полосы в
одну октаву или менее и
произведение средней мощности
(выраженной в кВт) на рабочую
частоту (выраженную в ГГц) более
1 или
3) годные для применения в
космосе
3.1.1.2.1.2. лампы-усилители магнетронного 854041000
типа с коэффициентом усиления
более 17 дБ
3.1.1.2.1.3. импрегнированные катоды, 854049000
разработанные для электронных
ламп, имеющие любую из следующих
характеристик:
а) время выхода на уровень
эмиссии менее 3 с или
б) плотность тока при
непрерывной эмиссии и штатных
условиях функционирования,
превышающую 5 А/кв.см
3.1.1.2.2. микроволновые интегральные схемы 854049000
или модули, содержащие
твердотельные интегральные
схемы, работающие на частотах
свыше 3 ГГц
Примечание. По пункту 3.1.1.2.2
не контролируются схемы или
модули оборудования,
спроектированного для работы в
стандартном диапазоне частот,
установленном Международным
союзом электросвязи, не
превышающем 31 ГГц.
3.1.1.2.3. микроволновые транзисторы, 854049000
предназначенные для работы на
частотах, превышающих 31 ГГц
3.1.1.2.4. микроволновые твердотельные 854049000
усилители, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) работающие на частотах свыше
10,5 ГГц и имеющие мгновенную
ширину полосы частот более
пол-октавы;
б) работающие на частотах свыше
31 ГГц
3.1.1.2.5. фильтры с электронной или 854049000
магнитной настройкой, содержащие
более пяти настраиваемых
резонаторов, обеспечивающих
настройку в полосе частот с
соотношением максимальной и
минимальной частот 1,5:1
(fmax/fmin) менее чем за 10 мкс,
имеющие любую из следующих
составляющих:
а) полосовые фильтры, имеющие
полосу пропускания частоты более
0,5% от резонансной частоты,
или
б) заградительные фильтры,
имеющие полосу подавления
частоты менее 0,5% от
резонансной частоты
3.1.1.2.6. микроволновые сборки, способные 854049000
работать на частотах,
превышающих 31 ГГц
3.1.1.2.7. смесители и преобразователи, 854049000
разработанные для расширения
частотного диапазона аппаратуры,
указанной в пунктах 3.1.2.3,
3.1.2.5 или 3.1.2.6
3.1.1.2.8. микроволновые усилители мощности 854081000
СВЧ, содержащие лампы,
контролируемые по пункту
3.1.1.2, и имеющие все следующие
характеристики:
а) рабочие частоты свыше 3 ГГц;
б) среднюю плотность выходной
мощности, превышающую 80 Вт/кг и
в) объем менее 400 куб.см
Примечание. По пункту 3.1.1.2.8
не контролируется аппаратура,
разработанная или пригодная для
работы на стандартных частотах,
установленных Международным
союзом электросвязи.
3.1.1.3. приборы на акустических волнах и
специально спроектированные для
них компоненты, такие, как:
3.1.1.3.1. приборы на поверхностных 854160000
акустических волнах и на
акустических волнах в тонкой
подложке (т.е. приборы для
обработки сигналов, использующие
упругие волны в материале),
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) несущую частоту более 2,5 ГГц
или
б) несущую частоту более 1 ГГц,
но не превышающую 2,5 ГГц, и
дополнительно имеющие любую из
следующих характеристик:
1) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы
направленности более 55 дБ;
2) произведение максимального
времени задержки (в мкс) на
ширину полосы частот (в МГц)
более 100;
3) ширину полосы частот более
250 МГц или
4) задержку
рассеяния, превышающую 10 мкс;
или
в) несущую частоту от 1 ГГц и
менее и дополнительно имеющие
любую из следующих
характеристик:
1) произведение максимального
времени задержки (в мкс) на
ширину полосы частот (в МГц)
более 100;
2) задержку рассеяния,
превышающую 10 мкс или
3) частотное подавление боковых
лепестков диаграммы
направленности более 55 дБ и
ширину полосы частот,
превышающую 50 МГц
3.1.1.3.2. приборы на объемных акустических 854160000
волнах (т.е. приборы для
обработки сигналов, использующие
упругие волны в материале),
обеспечивающие непосредственную
обработку сигналов на частотах
свыше 1 ГГц
3.1.1.3.3. акустооптические приборы 854160000
обработки сигналов, использующие
взаимодействие между
акустическими волнами (объемными
или поверхностными) и световыми
волнами, что позволяет
непосредственно обрабатывать
сигналы или изображения, включая
анализ спектра, корреляцию или
свертку
3.1.1.4. электронные приборы и схемы, 854280000
содержащие компоненты,
изготовленные из сверхпроводящих
материалов, специально
спроектированные для работы при
температурах ниже критической
температуры хотя бы одной из
сверхпроводящих составляющих,
имеющие хотя бы один из
следующих признаков:
а) электромагнитное усиление:
1) на частотах, равных или ниже
31 ГГц, с уровнем шумов ниже 0,5
дБ или
2) на частотах свыше 31 ГГц;
б) токовые переключатели для
цифровых схем, использующие
сверхпроводящие вентили, у
которых произведение времени
задержки на вентиль (в
секундах) на рассеяние мощности
на вентиль (в ваттах) ниже
10E--14 Дж, или
в) селекцию
частоты на всех частотах с
использованием резонансных
контуров с добротностью,
превышающей 10000
3.1.1.5. нижеперечисленные накопители
энергии:
3.1.1.5.1. батареи и батареи на 850619900
фотоэлектрических элементах,
такие, как:
а) первичные элементы и батареи
с плотностью энергии свыше 480
Вт.ч/кг и пригодные по
техническим условиям для работы
в диапазоне температур от 243 K
(-30°C) и ниже до 343 K (70°C)
и выше
Техническое примечание.
Плотность энергии определяется
путем умножения средней мощности
в ваттах (произведение среднего
напряжения в вольтах на средний
ток в амперах) на длительность
цикла разряда в часах, при
котором напряжение на
разомкнутых клеммах падает до
75% от номинала, и деления
полученного произведения на
общую массу элемента (или
батареи) в кг;
б) подзаряжаемые элементы и
батареи с плотностью энергии
свыше 150 Вт.ч/кг после 75
циклов заряда-разряда при токе
разряда, равном С/5 ч (С -
номинальная емкость в ампер-
часах), при работе в диапазоне
температур от 253 K (-20°C) и
ниже до 333 K (60°C) и выше;
в) батареи, по техническим
условиям годные для применения в
космосе, и радиационно стойкие
батареи на фотоэлектрических
элементах с удельной мощностью
свыше 160 Вт/кв.м при рабочей
температуре 301 K (28°C) и
вольфрамовом источнике, нагретом
до 2800 K (2527°C) и создающем
энергетическую освещенность 1
кВт/кв.м.
Примечание. По пункту 3.1.1.5.1
не контролируются батареи
объемом 27 куб.см и меньше
(например, стандартные угольные
элементы или батареи типа R14).
3.1.1.5.2. накопители большой энергии, 850619900;
такие, как: 850780900
а) накопители с частотой
повторения менее 10 Гц
(одноразовые накопители),
имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение 5 кВ
или более;
2) плотность энергии 250 Дж/кг
или более и
3) общую энергию 25 кДж или
более;
б) накопители с частотой
повторения 10 Гц и более
(многоразовые накопители),
имеющие все следующие
характеристики:
1) номинальное напряжение не
менее 5 кВ;
2) плотность энергии не менее 50
Дж/кг;
3) общую энергию не менее 100 Дж
и
4) количество циклов
заряда-разряда не менее 10000
3.1.1.5.3. сверхпроводящие электромагниты и 850519900
соленоиды, специально
спроектированные на полный заряд
или разряд менее чем за одну
секунду, имеющие все
нижеперечисленные
характеристики:
а) энергию, выделяемую при
разряде, превышающую 10 кДж за
первую секунду;
б) внутренний диаметр
токопроводящих обмоток более 250
мм и
в) номинальную магнитную
индукцию свыше 8 Т или суммарную
плотность тока в обмотке больше
300 А/кв.мм
Примечание. По пункту 3.1.1.5.3
не контролируются
сверхпроводящие электромагниты
или соленоиды, специально
спроектированные для медицинской
аппаратуры магниторезонансной
томографии.
3.1.1.6. вращающиеся преобразователи 903180310
абсолютного углового положения
вала в код, имеющие любую из
следующих характеристик:
а) разрешение лучше 1/265000 от
полного диапазона (18 бит) или
б) точность лучше +-2,5 угл. с
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.1. записывающая аппаратура и
специально разработанная
измерительная магнитная лента
для нее, такие, как:
3.1.2.1.1. накопители на магнитной ленте 852039900
для аналоговой аппаратуры,
включая аппаратуру с
возможностью записи цифровых
сигналов (например, использующие
модуль цифровой записи высокой
плотности), имеющие любую из
следующих характеристик:
а) полосу частот, превышающую 4
МГц на электронный канал или
дорожку;
б) полосу частот, превышающую 2
МГц на электронный канал или
дорожку, при числе дорожек более
42 или
в) ошибку рассогласования
(основную) временной шкалы,
измеренную по методикам
соответствующих руководящих
материалов Межведомственного
совета по радиопромышленности
(IRIG) или Ассоциации
электронной промышленности
(EIA), менее +-0,1 мкс
Примечание. Аналоговые
видеомагнитофоны, специально
разработанные для гражданского
применения, не рассматриваются
как записывающая аппаратура.
3.1.2.1.2. цифровые видеомагнитофоны, 852110;
имеющие максимальную пропускную 852190000
способность цифрового интерфейса
свыше 180 Мбит/с
Примечание. По пункту 3.1.2.1.2
не контролируются цифровые
видеомагнитофоны, специально
спроектированные для
телевизионной записи,
использующие стандартный формат
сигнала для гражданского
телевидения, рекомендуемый
Международным союзом
электросвязи либо Международной
электротехнической комиссией
(МЭК).
3.1.2.1.3. накопители на магнитной ленте 852110
для цифровой аппаратуры,
использующие принципы
спирального сканирования или
принципы фиксированной головки и
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) максимальную пропускную
способность цифрового интерфейса
более 175 Мбит/с или
б) годные для применения в
космосе
Примечание. По пункту 3.1.2.1.3
не контролируются аналоговые
накопители на магнитной ленте,
оснащенные электронными блоками
для преобразования в цифровую
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26
|
