ПОСТАНОВЛЕНИЕ СОВЕТА МИНИСТРОВ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА
29 октября 2003 г. № 20
О ПРОДЛЕНИИ НА 2004 ГОД ПОДПРОГРАММЫ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА
"РАЗРАБОТКА И ОСВОЕНИЕ СЕРИЙ ЦИФРОВЫХ, ЦИФРО-АНАЛОГОВЫХ,
АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ДЛЯ АППАРАТУРЫ
СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ И ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ", ВНЕСЕНИИ
В НЕЕ ИЗМЕНЕНИЙ И ДОПОЛНЕНИЙ
Совет Министров Союзного государства ПОСТАНОВЛЯЕТ:
1. Согласиться с предложением Министерства промышленности,
науки и технологий Российской Федерации и Министерства
промышленности Республики Беларусь о продлении на 2004 год срока
реализации подпрограммы Союзного государства "Разработка и освоение
серий цифровых, цифро-аналоговых, аналоговых интегральных микросхем
для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее
- Подпрограмма), внесении в нее изменений и дополнений с уточнением
объемов работ и увеличением размера бюджетных затрат на ее
выполнение в сумме до 38516 тыс.рублей (в том числе до 30960
тыс.рублей - за счет отчислений Российской Федерации и до 7556
тыс.рублей - за счет отчислений Республики Беларусь), обеспечивающих
максимальное достижение запланированных в указанной Подпрограмме
конечных результатов.
Уточненная редакция Подпрограммы прилагается.
2. Осуществить дополнительное финансирование расходов на
реализацию Подпрограммы в 2003 году в сумме 18500 тыс.рублей
(долевые отчисления Российской Федерации) в порядке, предусмотренном
статьями 4 и 5 бюджета Союзного государства на 2003 год,
утвержденного Постановлением Высшего Государственного Совета
Союзного государства от 20 января 2003 г. № 1.
3. Определить Министерство промышленности, науки и технологий
Российской Федерации государственным заказчиком-координатором и
Министерство промышленности Республики Беларусь - государственным
заказчиком Подпрограммы.
4. Настоящее постановление вступает в силу со дня его
подписания.
Председатель Совета Министров
Союзного государства М.Касьянов
УТВЕРЖДЕНО
Постановление Совета Министров
Союзного государства
29.10.2003 № 20
ПОДПРОГРАММА
Союзного государства "Разработка и освоение серий цифровых,
цифро-аналоговых, аналоговых интегральных микросхем для
аппаратуры специального назначения и двойного применения"
(Уточненная редакция выполняющейся в 2000-2003 гг. одноименной
подпрограммы, утвержденной постановлением Исполнительного Комитета
Союза Беларуси и России от 12 февраля 1999 г. № 2)
СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Цель подпрограммы
3. Основные технические показатели
4. Основные этапы выполнения подпрограммы
5. Исполнители подпрограммы
6. Состав разрабатываемых интегральных микросхем и технологических
процессов
7. Ожидаемые результаты реализации подпрограммы
8. Структура расходов на подпрограмму
9. Система программных мероприятий и ресурсное обеспечение
подпрограммы
10. Паспорт подпрограммы Союзного государства "Разработка и освоение
серий цифровых, цифро-аналоговых, аналоговых интегральных
микросхем для аппаратуры специального назначения и двойного
применения" (уточненная редакция)
1. Введение
Радиоэлектронная отрасль, как совокупность проектных,
научно-исследовательских организаций и базовых заводов -
изготовителей высокоинтеллектуальной продукции и элементной базы,
включающая обеспечение трудовыми, материальными, энергоресурсами,
социально-бытовой сферой, является ведущей отраслью экономики как
Республики Беларусь, так и Российской Федерации.
Электронная промышленность, являющаяся подотраслью
радиоэлектронной промышленности, снабжает элементной базой не только
радиоэлектронные отрасли в целом, но и другие наукоемкие отрасли
промышленности и народного хозяйства - машиностроение, информатику,
транспорт, связь и т.д., обеспечивая их технический уровень и
конкурентоспособность на мировом рынке и рынке СНГ.
Для успешной интеграции в мировое экономическое сообщество
необходимо совместно развивать электронную промышленность в России и
Беларуси в духе Декларации о дальнейшем единении Беларуси и России
от 25 декабря 1998 года.
Важнейшим инструментом такой политики являются
научно-технические программы на основе органического сочетания
научных разработок, прикладных исследований, опытного и серийного
производства элементной базы и законченных изделий.
Данная подпрограмма является составной частью программы
"Создание и серийное производство автоматизированных систем
управления, бортовой радиолокационной аппаратуры, изделий бытовой
радио- и электротехники", одобренной решением Исполнительного
Комитета Сообщества Беларуси и России от 4 сентября 1996 г. № 4
(п.18 Перечня совместных межгосударственных программ), и
обеспечивает разработку и организацию выпуска элементной базы нового
класса, позволяющей создавать конкурентоспособные изделия и
аппаратуру, расширить объемы товарных потоков, создать
усовершенствованные специализированные системы для укрепления
обороноспособности Республики Беларусь и Российской Федерации,
увеличить объемы валютных поступлений, в значительной степени решить
проблему импортозамещения.
2. Цель подпрограммы
Целью подпрограммы является:
- разработка и освоение серий цифровых, цифро-аналоговых,
аналоговых микросхем для приоритетных отраслей промышленности,
бытовой техники и аппаратуры специального назначения (планируется
создание широкого спектра интегральных микросхем различного
функционального назначения);
- разработка микросхем для изделий спецтехники, включая
интегральные схемы (ИС) повышенной устойчивости к специальным
факторам, повышенной помехозащищенности и надежности, в соответствии
с реализуемыми и перспективными программами создания систем
вооружений и военной техники (включая автоматизированные системы
управления и специальную бортовую аппаратуру);
- разработка ряда новых технологий, предназначенных для
создания электронной элементной базы, в рамках настоящей
подпрограммы.
Подпрограмма охватывает сферу проектирования и серийного
освоения изделий электронной техники (ИЭТ) двойного и специального
назначения, технологического обеспечения. Это позволит резко поднять
качество, снизить себестоимость, уменьшить сроки разработки и
освоения ИЭТ, обеспечив тем самым их конкурентоспособность и
независимость от поставок по импорту, создать новые, более
совершенные промышленные, бытовые и оборонные системы.
3. Основные технические показатели
В ходе реализации трех взаимосвязанных разделов подпрограммы
планируется разработка целого ряда интегральных схем и новых
технологических процессов:
1. микросхемы двойного назначения:
микросхемы 8- и 16-разрядных микроконтроллеров, микросхемы для
цифровой обработки сигналов, 16/32 КМОП микропроцессорный комплект,
стандартные линейные микросхемы, серия контроллеров ЖКИ, ряд БМК
емкостью от 10 до 100 К вентилей, аналого-цифровая матрица, КМОП
статическое ОЗУ емкостью 1 Мбит, БиКМОП аналого-цифровых БМК, ряд
операционных усилителей и др. Всего планируется разработать и
освоить 39 типов новых микросхем двойного назначения с техническими
характеристиками, соответствующими мировому уровню;
2. микросхемы специального назначения:
КМОП ПЗУ емкостью 1 М и 2 М, устойчивые к спецфакторам, серия
быстродействующих КМОП логических схем типа 54АСТ. Всего по второму
разделу планируется разработать и внедрить в серийное производство в
РБ и РФ 42 типа микросхем;
3. новые технологические операции, конструкции и
технологические процессы:
новые конструкции и технологические процессы изготовления,
библиотеки параметров и элементов 8-16-разрядных микроконтроллеров с
проектными нормами от 0,7 до 1,2 мкм, в том числе со встроенными
блоками ЭСППЗУ до 16 Кбит, ПЗУ - до 256 Кбит, ОЗУ - до 256 байт;
технологию формирования структур типа кремний на изоляторе,
технологический процесс химико-механического полирования межслойных
диэлектриков, технологические процессы планаризации, блока
многослойной металлизации и др. По всем заданиям настоящего раздела
планируется достижение технических параметров, соответствующих
мировому уровню.
4. Основные этапы выполнения подпрограммы
Подпрограмма "База" утверждена Постановлением Исполкома Союза
Беларуси и России от 12 февраля 1999 г. № 2. Согласно подпрограмме
сроки ее реализации - 2000-2003 годы.
Плановые и фактические объемы бюджетного финансирования
подпрограммы приведены в следующей таблице.
(тыс. российских рублей (в текущих ценах)
------T------------------------T------------------------T----------¬
¦ ¦ План по подпрограмме ¦ Факт на 01.01.2003 ¦Дата ¦
¦ Год ¦ (в ценах мая 1998 г.) ¦ ¦открытия ¦
¦ +-------T-------T--------+-------T-------T--------+финансиро-¦
¦ ¦ всего ¦Россия ¦Беларусь¦ всего ¦Россия ¦Беларусь¦вания ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+----------+
¦2000 ¦34860,0¦22260,0¦12600,0 ¦19156,6¦19156,6¦ - ¦ сентябрь ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+----------+
¦2001 ¦30230,0¦20150,0¦10080,0 ¦45209,0¦30797,4¦14411,6 ¦ март ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+----------+
¦2002 ¦20150,0¦13740,0¦ 6410,0 ¦20150,0¦11486,0¦ 8664,0 ¦ апрель ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+----------+
¦2003 ¦ 7760,0¦ 5290,0¦ 2470,0 ¦ - ¦ - ¦ - ¦ ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+----------+
¦ВСЕГО¦93000,0¦61440,0¦31560,0 ¦84515,6¦61440,0¦23075,6 ¦ ¦
L-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+-----------
Из таблицы следует, что на 01.01.2003 фактическое
финансирование подпрограммы составило 90,88% от номинальной суммы,
предусмотренной подпрограммой.
По состоянию на 1 января 2003 г. уже выполнены следующие
работы:
по приборной части подпрограммы:
завершены этапы разработки ТЗ и плановой документации по 24
ОКР, этапы разработки эскизных проектов по 18 ОКР, этапы разработки
технических проектов по 11 ОКР; в процессе этого проведена
разработка архитектуры, алгоритмов функционирования, математических
моделей схем электрических принципиальных, топологии разрабатываемых
микросхем, верификация проектов на разработанных тестах;
по 8 ОКР изготовлены и исследованы экспериментальные образцы
микросхем, в том числе:
- серия из 8 типов стабилизаторов напряжения положительной
полярности с температурным диапазоном -45...+125°С;
- 8-разрядный микроконтроллер с системой команд семейства
MSC-51 и встроенным драйвером ЖКИ;
- серия из 4 типов КМОП базовых матричных кристаллов с
количеством вентилей 10, 30, 60 и 100 тысяч;
- драйверы матричного ЖКИ типа SED1670 и SED1606;
- серия из 3 типов БИС: нерекурсивного цифрового фильтра,
приемопередатчика манчестерского кода, автокомпенсатора;
- серия из 40 типов быстродействующих КМОП логических ИС,
устойчивых к спецфакторам (аналог серии 54АСТ);
- микропроцессорный комплект из 2 типов микросхем -
16/32-разрядного КМОП процессора (аналог 1801ВМЗ) и 32/64-разрядного
КМОП сопроцессора обработки чисел с плавающей запятой (аналог
1801ВМ4), процессор корреляционной предобработки спутниковых
сигналов навигационной системы "ГЛОНАСС/НАВСТАР";
- БИС КМОП ПЗУ емкостью 2 М;
по 7 ОКР разработаны рабочая документация и проекты ТУ для
изготовления опытных партий;
по 3 ОКР изготовлены и испытаны опытные образцы;
2 ОКР сданы межведомственной комиссии в полном объеме и в
соответствии с ТЗ;
по комплексу работ технологической части подпрограммы:
завершены этапы разработки ТЗ и плановой документации по 11
ОКР, этапы разработки технологических маршрутов - по 8 ОКР;
изготовлены образцы пластин с тестовыми кристаллами уровня 0,5
мкм;
разработана опытная технология глобальной планаризации
топологического рельефа при изготовлении СБИС с проектными нормами
0,5 мкм и менее на основе применения процесса химико-механической
полировки, проведены опытные партии;
завершена и сдана межведомственной комиссии в полном объеме и в
соответствии с ТЗ ОКР по разработке технологических процессов
нанесения диэлектрических покрытий и планаризации поверхности
пластин;
проведены технологические исследования, определена структура
технологических процессов и разработаны технологические маршруты
базовых технологий для выпуска:
- высоковольтных (до 40 В) ИС;
- структур типа кремний на изоляторе для расширенного класса
СБИС, включая быстродействующие и высоковольтные;
- универсальных КМОП микроконтроллеров с проектной нормой 0,8
мкм;
- библиотеки элементов микроконтроллеров с RISC архитектурой;
- расширенной номенклатуры БиКМОП СБИС;
- СБИС специального и двойного применения с проектными нормами
0,5-0,7 мкм;
проведены технологические исследования и определены основные
параметры и структура следующих технологических процессов:
- нанесения диэлектрических покрытий и планаризации поверхности
пластин для базовой субмикронной технологии;
- химико-механической полировки топологического рельефа
технологических структур СБИС для базового процесса уровня 0,5 мкм;
- формирования многослойной (3-4 слоя) металлизации с
использованием планаризации жидким стеклом.
Причинами к введению изменений в подпрограмму и продлению срока
ее реализации на один год являются:
1. Изменение требований к номенклатуре и основным параметрам
СБИС, произошедшее за время с момента разработки подпрограммы.
2. Появление с 2002 года дублирующих работ, связанных с началом
реализации в России Федеральной целевой программы "Национальная
технологическая база".
3. Появление с 2001 года дублирующих работ, выполняемых по
Государственному оборонному заказу России.
В целях учета этих изменений и координации с другими
программами, ведущимися в данном направлении, был разработан и
согласован с заказывающими подразделениями Министерства обороны
Российской Федерации уточненный "Перечень изделий для включения в
план работ совместной российско-белорусской подпрограммы "Разработка
и освоение серий цифровых, цифро-аналоговых, аналоговых интегральных
микросхем для аппаратуры специального назначения и двойного
применения" (шифр "База")".
В нем учтены требования разработчиков аппаратурных комплексов и
систем, создаваемых по заказам Министерства обороны Российской
Федерации и других министерств и ведомств, изменившиеся с момента
разработки подпрограммы.
4. Существенное изменение с момента разработки подпрограммы цен
на материалы, комплектующие, энергоносители и затрат на заработную
плату в отрасли.
5. Расчет расходов на подпрограмму исходно был произведен во II
квартале 1998 года (Раздел 8 подпрограммы). Поэтому, в связи с
высоким уровнем инфляции за прошедшие 4 года выполнение подпрограммы
в полном объеме при запланированном ранее объеме финансирования
невозможно по причине его недостаточности.
С учетом сделанных уточнений выполнение всех заданий
подпрограммы планируется на период с III кв. 2000 г. по IV кв. 2004
г. с объемом ее финансирования из бюджета Союзного государства в
2003 году в размере 26984,0 тыс.руб. РФ, а в 2004 году - в размере
20016,0 тыс.руб. РФ, а также с привлечением собственных средств
предприятий в размере 62556,0 тыс.руб. в 2003 году, а в 2004 году -
в размере 92277,0 тыс.руб.
Предлагаемое изменение позволит выполнить важнейшие задания
подпрограммы с учетом исключения дублирования работ по ФЦП
"Национальная технологическая база", заказа Министерства обороны
России и оптимальным образом реализовать в виде законченных работ
затраченные в 2000-2003 гг. средства на выполнение подпрограммы.
Задания подпрограммы выполняются в виде комплекса
опытно-конструкторских работ (ОКР), результаты которых внедряются в
производство на предприятиях - исполнителях подпрограммы.
5. Исполнители подпрограммы
Основными исполнителями подпрограммы являются:
от Российской Федерации:
- Научно-техническая ассоциация (НТА) "Субмикро" (г.Москва) -
Головной исполнитель - организационно-техническое обеспечение
проведения подпрограммы, координация работ по подпрограмме в целом и
контроль за ее исполнением;
- ОАО "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон" (г.Москва);
от Республики Беларусь:
- НПО "Интеграл" (г.Минск).
К реализации основных заданий и этапов подпрограммы планируется
привлечение более 20 отраслевых НИИ, КБ, заводов, академических
институтов и ВУЗов.
6. Состав разрабатываемых интегральных микросхем
и технологических процессов
Общая характеристика и перечень разрабатываемых интегральных
микросхем и технологических процессов представлены в разделе 9.
7. Ожидаемые результаты реализации подпрограммы
В итоге реализации этапов и заданий подпрограммы будут получены
следующие основные результаты:
1. На заводах электронной промышленности Республики Беларусь и
Российской Федерации будет организовано производство
конкурентоспособной элементной базы для удовлетворения потребности
народного хозяйства и обороны, наращивания экспортного потенциала,
решения проблемы импортозамещения.
2. Будут сохранены и созданы новые рабочие места в
радиоэлектронной, машиностроительной и других отраслях
промышленности.
3. Будут разработаны, созданы опытные образцы и освоены в
производстве свыше 80 современных интегральных схем специального
назначения и двойного применения, разработаны и внедрены в
производство новые технологические процессы, позволяющие многократно
повысить степень интеграции и эксплуатационные характеристики
интегральных схем.
4. Будет сохранен и получит дальнейшее развитие
научно-технический потенциал электронной промышленности двух
государств за счет объединения их усилий и финансовых средств.
5. Планируемый объем реализации разработанных изделий только за
два года (2004-2005 гг.) составит более 30 млн.дол.США.
Реализация подпрограммы позволит Республике Беларусь и
Российской Федерации организовать производство ряда
конкурентоспособных отечественных изделий электронной техники и
обеспечить их поставки на внутренний и внешний рынки.
8. Структура расходов на подпрограмму
Подпрограмма финансируется на 38,2% за счет средств бюджета
Союза Беларуси и России и Союзного государства, а на 61,8% - за счет
внебюджетных средств. Средства бюджета Союзного государства
направляются на выполнение ОКР. Внебюджетные средства направляются
на обеспечивающие мероприятия по выполнению ОКР и на финансирование
подготовки производства на предприятиях - исполнителях подпрограммы.
Структура расходов на подпрограмму в тыс. российских рублей
приведена в таблице 1.
Таблица 1
-----------------------------T------T-------T-------T-------T-------T-------¬
¦ Объемы и распределение ¦Всего ¦2000 г.¦2001 г.¦2002 г.¦2003 г.¦2004 г.¦
¦ расходов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+-------+
¦Всего ¦345700¦ 19157 ¦ 71150 ¦ 53560 ¦ 89540 ¦112293 ¦
¦из них: Республика Беларусь ¦142200¦ - ¦ 22803 ¦ 20074 ¦ 39490 ¦ 59833 ¦
¦ Российская Федерация¦203500¦ 19157 ¦ 48347 ¦ 33486 ¦ 50050 ¦ 52460 ¦
¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+-------+
¦Средства бюджета Союзного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦государства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦всего ¦132207¦ 19157 ¦ 45900 ¦ 20150 ¦ 26984 ¦ 20016 ¦
¦из них: Республика Беларусь ¦ 39807¦ - ¦ 15103 ¦ 8664 ¦ 8484 ¦ 7556 ¦
¦ Российская Федерация¦ 92400¦ 19157 ¦ 30797 ¦ 11486 ¦ 18500 ¦ 12460 ¦
+----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+-------+
¦Внебюджетные средства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦всего ¦213493¦ - ¦ 25250 ¦ 33410 ¦ 62556 ¦ 92277 ¦
¦из них: Республика Беларусь ¦102393¦ - ¦ 7700 ¦ 11410 ¦ 31006 ¦ 52277 ¦
¦ Российская Федерация¦111100¦ - ¦ 17550 ¦ 22000 ¦ 31550 ¦ 40000 ¦
L----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+--------
Примечание. Расчет расходов на подпрограмму произведен во II
квартале 2002 г.
9. Система программных мероприятий и ресурсное обеспечение
подпрограммы
*
Таблица 2
------------------T-----------T--------T-------------------------------------------------------------------T---------T---------------------------¬
¦ ¦ ¦ ¦ Сметная стоимость работ по годам ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ (до 2004 г. включительно), тыс.руб. ¦Распре- ¦ ¦
¦ ¦ ¦ +--------T----------------------------------------------------------+деление ¦ Основные полученные ¦
¦ Наименование ¦ Органи- ¦Сроки ¦ ¦ В том числе: ¦бюджет- ¦ или ожидаемые результаты ¦
¦ работ ¦ зация- ¦выпол- ¦ +-------------------------------------------------T--------+ного ¦ за 2000-2002 гг. ¦
¦ подпрограммы ¦исполнитель¦нения ¦Всего ¦ бюджет Союзного государства ¦Внебюд- ¦финанси- ¦ ¦
¦ ¦ ¦(год, ¦за 2000-+--------T-------T-------T-------T-------T--------+жетные ¦рования, ¦ Основные ожидаемые ¦
¦ ¦ ¦квартал)¦2004 гг.¦ 2000- ¦2002 г.¦2003 г.¦2003 г.¦2004 г.¦Всего ¦средства¦тыс.руб.,¦результаты на 2003-2004 гг.¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦2001 гг.¦ ¦ План ¦Пред- ¦Пред- ¦за 2000-¦за 2000-¦РФ/РБ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ Факт ¦ ¦ ¦ложение¦ложение¦2004 гг.¦2004 гг.¦ ¦ ¦
L-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+----------------------------
1. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ
------------------T-----------T--------T--------T--------T-------T-------T-------T-------T--------T--------T---------T---------------------------¬
¦1.1. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 52998¦ 880¦ 2370¦ 1800¦ 4068¦ 4731¦ 19969¦ 33029¦ 13146/¦Микросхема 16-разрядного ¦
¦серии ¦"Интеграл",¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 6823¦микроконтроллера с ¦
¦16-разрядных ¦ОАО ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦RISC-архитектурой. ¦
¦микроконтроллеров¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан эскизный проект.¦
¦для систем ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и исследованы ¦
¦цифровой ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы. ¦
¦обработки ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет разработана рабочая ¦
¦сигналов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КД, ТД, проект ТУ. ¦
¦и комплекта ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦программно- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦аппаратных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Микросхемы ¦
¦средств, в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦приемопередатчика ¦
¦числе для систем ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦манчестерского кода, ¦
¦"ГЛОНАСC", ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦автокомпенсатора, ¦
¦включая 1806ВМ3 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦нерекурсивного цифрового ¦
¦и 1806ВM4 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦фильтра. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Начата разработка рабочей ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КД и ТД. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Микросхемы 6-канального ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦цифрового коррелятора ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦обработки ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦радионавигационных сигналов¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"ГЛОНАСC/НАВСТАР", КМОП ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦16-разрядного процессора ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦обработки чисел с ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦фиксированной запятой, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦32-разрядного сопроцессора ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦обработки чисел с плавающей¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦запятой. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД, ТД,¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Все разработанные изделия ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦будут поставлены на ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серийное производство ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.2. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 34277¦ 4990¦ 2800¦ 2827¦ 1960¦ 1570¦ 11320¦ 22957¦ 3245/¦Серия стандартных линейных ¦
¦серии стандартных¦"Интеграл",¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 8075¦интегральных микросхем ¦
¦линейных ¦ОАО "НИИМЭ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(аналоги LM117, LM158, ¦
¦микросхем ¦и Микрон" ¦II кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦LM193, LM124, LM139, ¦
¦(ан.LМ117, LМ158,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦MC78XX, MC79XX). ¦
¦LM193 и др.) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделия будут поставлены на¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серийное производство. ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.3. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 23991¦ 4509¦ 950¦ -¦ 911¦ 1870¦ 8240¦ 15751¦ 1773/¦Микросхема 8-разрядного ¦
¦контроллеров ЖКИ ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 6467¦микроконтроллера с системой¦
¦для устройств ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦команд семейства MSC-51 и ¦
¦отображения ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦встроенным драйвером ЖКИ. ¦
¦информации ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и исследованы ¦
¦средней и большой¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы. ¦
¦информативности ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Микросхемы драйверов ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦сегментных ЖКИ с I C ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦интерфейсом (аналоги ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦PCF8576, PCF8577). ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан технический ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект. Изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут разработаны рабочая ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КД и ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Все разработанные изделия ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦будут поставлены на ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серийное производство ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.4. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 14123¦ 2520¦ 3200¦ -¦ -¦ -¦ 5720¦ 8403¦ 5720/¦Контроллеры ЖКИ для ¦
¦контроллеров ЖКИ ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦устройств отображения ¦
¦для устройств ¦ ¦2002 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦информации с техническими ¦
¦отображения ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦характеристиками, ¦
¦информации с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующими аналогам ¦
¦техническими ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦SED1670, 1606. ¦
¦характеристиками,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны и исследованы ¦
¦соответствующими ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы. ¦
¦аналогам ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦SED1670, 1606 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены опытные ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦образцы. Изделия поставлены¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦на серийное производство ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.5. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 15664¦ 2860¦ 520¦ -¦ 2964¦ -¦ 6344¦ 9320¦ 6344/¦Серия микросхем КМОП БМК с ¦
¦серии микросхем ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦количеством вентилей 10, ¦
¦КМОП БМК с ¦ ¦2003 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦30, 60 и 100 тысяч. ¦
¦количеством ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны и исследованы ¦
¦вентилей 10, 30, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы. ¦
¦60 и 100 тысяч ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено на¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серийное производство ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.6. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 18328¦ 1115¦ -¦ -¦ 1800¦ 4508¦ 7423¦ 10905¦ 7423/¦Микросхемы аналого-цифровых¦
¦микросхем ¦"Ангстрем" ¦I кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦БиКМОП БМК. ¦
¦аналого-цифровых ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Начата разработка ¦
¦БиКМОП БМК ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технического проекта. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут разработаны и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исследованы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦экспериментальные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут разработаны рабочая ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КД и ТД, проект ТУ. Будут ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изготовлены и испытаны ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦опытные образцы. Изделие ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦будет поставлено на ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серийное производство ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.7. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 11983¦ 2570¦ 976¦ -¦ 500¦ 807¦ 4853¦ 7130¦ 4853/¦БИС СОЗУ емкостью 1 М ¦
¦КМОП статических ¦"Ангстрем",¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦(128 К х 8). Разработан ¦
¦ОЗУ емкостью ¦ОАО "НИИМЭ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технический проект. ¦
¦1 Мбит ¦и Микрон" ¦II кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено на¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серийное производство ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.8. Разработка ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦серии стандартных¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦аналоговых ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦микросхем, в том ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.8.1. Разработка¦ОАО "НИИМЭ ¦2000 г. ¦ 3901¦ 1580¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 1580¦ 2321¦ 1580/¦Разработана архитектура ¦
¦КМОП АЦП и ¦и Микрон" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦КМОП АЦП и ¦
¦быстродействующих¦ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦быстродействующих 10- и ¦
¦10- и ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦12-разрядных АЦП ¦
¦12-разрядных АЦП ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦конвейерного типа. ¦
¦конвейерного типа¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Работы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦прекращены по причине ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦дублирования с ОКР, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выполняемыми в рамках ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦государственного оборонного¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦заказа. Полученные ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦результаты используются при¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦выполнении ОКР "Ириска" и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦др. ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.8.2. Разработка¦ОАО "НИИМЭ ¦2000 г. ¦ 815¦ 330¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 330¦ 485¦ 330/¦Разработаны архитектура и ¦
¦ряда КМОП ¦и Микрон" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦эскизные электрические ¦
¦малошумящих ¦ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦схемы КМОП малошумящих ¦
¦быстродействующих¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦быстродействующих ¦
¦операционных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦операционных усилителей, ¦
¦усилителей ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проведено предварительное ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦моделирование. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Работа ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦прекращена по причине ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦недостаточности ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦финансирования и будет ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦продолжена с 2004 года в ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦рамках новой программы ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Союзного государства ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"База-2" ¦
L-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+----------------------------
2. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ
------------------T-----------T--------T--------T--------T-------T-------T-------T-------T--------T--------T---------T---------------------------¬
¦2.1. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦Работа не выполнялась из-за¦
¦комплекта ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦потери актуальности на ¦
¦32-разрядных ¦ ¦2000 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦этапе разработки ТЗ ¦
¦процессоров и ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦периферийных схем¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦с RISC- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦архитектурой с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦характеристиками,¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦соответствующими ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦аналогам R3000 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦(R3010) ф. IDT ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦и 80860 ф. INTEL ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.2. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 15952¦ 4380¦ 1000¦ 1920¦ 1920¦ -¦ 7300¦ 8652¦ 2808/¦Быстродействующие КМОП ¦
¦и освоение ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 4492¦логические ИС, устойчивые к¦
¦быстродействующих¦ ¦2003 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦спецфакторам (аналоги серии¦
¦КМОП логических ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦54АСТ, 40 типов). ¦
¦ИС, устойчивых ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны рабочая КД и ¦
¦к спецфакторам ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ТД, проект ТУ. ¦
¦(аналоги серии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изготовлены и испытаны ¦
¦54АСТ, 40 типов) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет проведена ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦корректировка КД, ТД, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проекта ТУ. Изделие будет ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦поставлено на серийное ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦производство ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.3. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦Работа не выполнялась из-за¦
¦низковольтных ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦потери актуальности на ¦
¦КМОП логических ¦ ¦2000 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦этапе разработки ТЗ ¦
¦ИС, устойчивых ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦к спецфакторам ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦(аналоги серии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦54/LVXXX) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.4. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦Работа не выполнялась из-за¦
¦КМОП логических ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦потери актуальности на ¦
¦ИС, устойчивых ¦ ¦2000 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦этапе разработки ТЗ ¦
¦к спецфакторам ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦(аналоги серии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦54НСХХХ) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.5. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦ -¦Работа не выполнялась из-за¦
¦элементной базы ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦потери актуальности на ¦
¦КМОП логических ¦ ¦2000 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦этапе разработки ТЗ ¦
¦ИС, устойчивых ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦к спецфакторам ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦(аналоги серии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦4000 В) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.6. Разработка ¦ОАО ¦2000 г. ¦ 17789¦ 950¦ 630¦ -¦ 3156¦ 2469¦ 7205¦ 10584¦ 7205/¦БИС КМОП ПЗУ емкостью 2 М. ¦
¦БИС КМОП ПЗУ ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦Разработан технический ¦
¦емкостью 2 М ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект. Разработаны рабочая¦
¦ ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КД и ТД, проект ТУ. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено на¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серийное производство ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.7. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 10336,4¦ 1260¦ 900¦ -¦ 967¦ 900¦ 4027¦ 6309,4¦ 995/¦КМОП СБИС постоянного ¦
¦КМОП СБИС ¦"Интеграл" ¦I кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 3032¦масочного запоминающего ¦
¦постоянного ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устройства емкостью 1М, ¦
¦масочного ¦ ¦II кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦устойчивого к спецфакторам.¦
¦запоминающего ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан технический ¦
¦устройства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проект. Разработаны рабочая¦
¦емкостью 1 М, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦КД и ТД, проект ТУ. ¦
¦устойчивого ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут изготовлены и ¦
¦к спецфакторам ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦испытаны опытные образцы. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Изделие будет поставлено на¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦серийное производство ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.8. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 2840¦ 1150¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 1150¦ 1690¦ 550/¦Разработан функциональный ¦
¦библиотеки ¦"Интеграл",¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 600¦состав и схемы ¦
¦элементов ¦ОАО "НИИМЭ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦электрические библиотечных ¦
¦специализирован- ¦и Микрон" ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦элементов. ¦
¦ных заказных БИС ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Выполнение ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания прекращено в связи ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с началом работ по ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦направлениям 16, 42 раздела¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦II российской ФЦП ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Национальная ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологическая база". ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Полученные при выполнении ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦используются при проведении¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦этих работ и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих НИОКР по ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦белорусской национальной ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программе "Белэлектроника" ¦
L-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+----------------------------
3. ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ
------------------T-----------T--------T--------T--------T-------T-------T-------T-------T--------T--------T---------T---------------------------¬
¦3.1. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 17271¦ 290¦ 950¦ -¦ 820¦ 2000¦ 4060¦ 13211¦ 522/¦Разработан технологический ¦
¦технологии ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 3538¦маршрут. Проведены ¦
¦и конструкции ¦ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологические ¦
¦элементной базы ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исследования и определена ¦
¦для изготовления ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структура технологических ¦
¦КМОП ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессов. ¦
¦универсальных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет разработана опытная ¦
¦микроконтроллеров¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технология. Будут проведены¦
¦с 0,8 мкм ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦опытные партии ¦
¦проектной нормой ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.2. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 13975¦ 3450¦ 964¦ 1246¦ 1246¦ -¦ 5660¦ 8315¦ 2033/¦Проведены технологические ¦
¦технологии ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 3627¦исследования и определена ¦
¦и библиотеки ¦ ¦2003 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структура технологических ¦
¦проектирования ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦процессов. Разработана ¦
¦микроконтроллеров¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦опытная технология. ¦
¦с RISC-архитек- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будут проведены опытные ¦
¦турой с 0,8 мкм ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦партии ¦
¦проектными ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦нормами ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.3. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 2765¦ 1120¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 1120¦ 1645¦ 170/¦Разработан технологический ¦
¦конструкции ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 950¦маршрут изготовления ¦
¦и технологии ¦ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦тестового кристалла. ¦
¦изготовления ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработаны типовая ¦
¦элементной базы ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структура и правила ¦
¦БиКМОП СБИС ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проектирования тестового ¦
¦с 0,8-1,0 мкм ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦БиКМОП кристалла. ¦
¦проектными ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Выполнение ¦
¦нормами ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания прекращено в связи ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с началом работ по ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦направлению 15 раздела II ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦российской ФЦП ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Национальная ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологическая база". ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Полученные при выполнении ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦используются при проведении¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦этих работ и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих НИОКР по ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦белорусской национальной ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программе "Белэлектроника" ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.4. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 25242¦ 10223¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 10223¦ 15019¦ 9920/¦Разработан проект базового ¦
¦технологии ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 303¦технологического маршрута ¦
¦структур СБИС ¦ОАО ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изготовления тестового ¦
¦с топологическими¦"Ангстрем",¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦кристалла уровня 0,5 мкм, ¦
¦нормами ¦ОАО "НИИМЭ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦осуществлено проектирование¦
¦до 0,5 мкм ¦и Микрон" ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦тестового кристалла, ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изготовлены образцы пластин¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с тестовыми кристаллами ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦уровня 0,5 мкм. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Выполнение ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания прекращено в связи ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с началом аналогичных работ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦по направлению 15 раздела ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦II российской ФЦП ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Национальная ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологическая база". ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Полученные при выполнении ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦используются при проведении¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦этих работ и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих НИОКР по ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦белорусской национальной ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программе "Белэлектроника" ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.5. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 35347¦ 7760¦ -¦ -¦ 5378¦ 1161¦ 14299¦ 21048¦ 12399/¦Разработан технологический ¦
¦конструкции ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 1900¦маршрут, разработаны ¦
¦и технологии ¦ОАО "НИИМЭ ¦2004 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦типовая структура ¦
¦элементной базы ¦и Микрон" ¦II кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦биполярной высоковольтной ¦
¦аналоговых ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦(до 40 В) ИС и правила ¦
¦высоковольтных ИС¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проектирования тестового ¦
¦и технологии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦кристалла. Разработаны ¦
¦формирования ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦состав тестовой матрицы, ¦
¦структур типа ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦топология тестовой матрицы,¦
¦кремний ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ЭКД и ЭТД. Изготовлен ¦
¦на изоляторе ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦комплект фотошаблонов, ¦
¦для расширенного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изготовлены эпитаксиальные ¦
¦класса СБИС, ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структуры. ¦
¦включая ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан технологический ¦
¦высоковольтные ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦маршрут формирования ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структур типа кремний на ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изоляторе для расширенного ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦класса СБИС, включая ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦высоковольтные. ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет разработана опытная ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технология формирования ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦структур типа кремний на ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦изоляторе для расширенного ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦класса СБИС, включая ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦высоковольтные ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.6. Разработка ¦ОАО "НИИМЭ ¦2000 г. ¦ 14787¦ 2870¦ 3120¦ -¦ ¦ -¦ 5990¦ 8797¦ 5990/¦Разработаны технологические¦
¦технологических ¦и Микрон" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦процессы нанесения ¦
¦процессов ¦ ¦2002 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрических покрытий и ¦
¦нанесения ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦планаризации поверхности ¦
¦диэлектрических ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦пластин в обеспечение ¦
¦покрытий ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦разработки и производства ¦
¦и планаризации ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦СБИС с субмикронными ¦
¦поверхности ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦проектными нормами ¦
¦пластин ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦в обеспечение ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦разработки ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦и производства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦СБИС ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦с субмикронными ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦проектными ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦нормами ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.7. Разработка ¦ОАО "НИИМЭ ¦2000 г. ¦ 12723¦ 2090¦ 1770¦ -¦ 1294¦ -¦ 5154¦ 7569¦ 5154/¦Разработан технологический ¦
¦технологии ¦и Микрон" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦маршрут. Проведены ¦
¦глобальной ¦ ¦2003 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологические ¦
¦планаризации ¦ ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦исследования. Проведены ¦
¦топологического ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦опытные партии, изготовлены¦
¦рельефа ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦и исследованы опытные ¦
¦при изготовлении ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦образцы структур с ¦
¦СБИС с проектными¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦глобально планаризованными ¦
¦нормами 0,5 мкм ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦слоями диэлектриков. ¦
¦и менее на основе¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет разработана ¦
¦применения ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦техническая документация. ¦
¦процесса химико- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Будет проведена аттестация ¦
¦механической ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологических процессов ¦
¦полировки ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.8. Разработка ¦НПО ¦2000 г. ¦ 593¦ 240¦ -¦ -¦ -¦ -¦ 240¦ 353¦ 240/¦Исследованы процессы ¦
¦технологического ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ -¦планаризации рельефа при ¦
¦процесса ¦ ¦2001 г. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦формировании многослойной ¦
¦создания блока ¦ ¦IV кв. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦металлизации ИС на основе ¦
¦многослойной ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦жидких стекол, наносимых ¦
¦(3-4 слоя) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦методом центрифугирования. ¦
¦металлизированной¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Разработан технологический ¦
¦разводки ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦маршрут и проведена ¦
¦с использованием ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦подготовка к изготовлению ¦
¦технологии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦опытных образцов. ¦
¦планаризации ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Выполнение ¦
¦с жидкими ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания прекращено в связи ¦
¦стеклами ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦с началом работ по ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦направлению 15 раздела II ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦российской ФЦП ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦"Национальная ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦технологическая база". ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Полученные при выполнении ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦задания результаты ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦используются при проведении¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦этих работ и ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих НИОКР по ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦белорусской национальной ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦программе "Белэлектроника" ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦ Всего, в т.ч.:¦ ¦ ¦ 345700 ¦65057 ¦ 20150 ¦ 7793 ¦26984 ¦ 20016 ¦ 132207 ¦ 213493 ¦ ¦ ¦
¦ РФ¦ ¦ ¦ 203500 ¦49954 ¦ 11486 ¦ - ¦18500 ¦ 12460 ¦ 92400 ¦ 111100 ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ------ ¦----- ¦ ----- ¦ ---- ¦----- ¦ ----- ¦ ------ ¦ ------ ¦ ¦ ¦
¦ РБ¦ ¦ ¦ 142200 ¦15103 ¦ 8664 ¦ 7793 ¦ 8484 ¦ 7556 ¦ 39807 ¦ 102393 ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦ Требуется¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ дополнительно на¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ 2003-2004 гг.:¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 38516 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ РФ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 30960 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ----- ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦ РБ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ 7556 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
L-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-----------------------+--------+--------+---------+----------------------------
Примечание. Корректировка подпрограммы осуществляется в
обоснованных случаях в установленном порядке.
Использование научно-технической продукции, полученной при
реализации мероприятий данной подпрограммы, осуществляется в
порядке, устанавливаемом нормативными правовыми актами Союзного
государства по урегулированию вопросов, касающихся права
собственности на результаты научно-технической деятельности,
полученные в ходе выполнения совместных ОКР.
До принятия нормативных правовых актов Союзного государства в
области охраны интеллектуальной собственности патентование совместно
созданных результатов новых научных разработок будет производиться
исходя из доли вклада российских и белорусских специалистов в их
достижение и с учетом законодательства стран-участников,
регулирующего права собственности на результаты научно-технической
деятельности.
До принятия нормативных правовых актов по управлению и
распоряжению имуществом Союзного государства порядок использования
опытных и экспериментальных образцов оборудования, созданных при
выполнении подпрограммы, будет определяться исходя из доли
отчислений российской и белорусской сторон на финансирование
подпрограммы из бюджета Союзного государства.
10. Паспорт подпрограммы Союзного государства "Разработка
и освоение серий цифровых, цифро-аналоговых, аналоговых
интегральных микросхем для аппаратуры специального назначения
и двойного применения" (уточненная редакция)
Наименование "Создание и серийное производство
основной автоматизированных систем управления, бортовой
программы радиолокационной аппаратуры, изделий бытовой радио-
и электротехники"
Уровень, дата
и номер решений:
о разработке Перечень межгосударственных совместных программ,
основной одобренный решением Исполкома Сообщества Беларуси и
программы России от 4 сентября 1996 г. (приложение 1 к
протоколу № 4, раздел III, п.18)
об утверждении
основной
программы
Наименование "Разработка и освоение серий цифровых,
подпрограммы цифро-аналоговых, аналоговых интегральных микросхем
для аппаратуры специального назначения и двойного
применения"
Уровень, дата
и номер решений:
о разработке Протокол совместного совещания представителей
подпрограммы Минпрома Беларуси, Миноборонпрома России и
Исполнительного Комитета Сообщества Беларуси и
России от 24.01.97 г.
об утверждении Постановление Исполкома Союза Беларуси и России
подпрограммы от 12 февраля 1999 г. № 2
об утверждении Постановление Совета Министров Союзного государства
предложения по от "__" ______________ 2003 г. № ______
продлению на
один год срока
реализации
подпрограммы и
по ее изменению
Государственный Министерство промышленности, науки и технологий
заказчик- Российской Федерации
координатор
Государственный Министерство промышленности Республики Беларусь
заказчик
Основные Головной исполнитель - научно-техническая
разработчики ассоциация "Субмикро", генеральный директор Евсеевич
и исполнители Петухов Анатолий - руководитель подпрограммы;
подпрограммы 124482, Москва, Зеленоград, корп.313А,
тел.(095)536-5011, факс (095)536-6934
Исполнители:
от Республики Беларусь: УП "Белмикросистемы"
НПО "Интеграл" (г.Минск);
от Российской Федерации: ОАО "Ангстрем",
ОАО "НИИМЭ и Микрон" (г.Москва)
Цели и задачи Разработка и освоение серий цифровых,
подпрограммы, цифро-аналоговых, аналоговых микросхем для
важнейшие приоритетных отраслей промышленности, бытовой
целевые техники и аппаратуры специального и двойного
показатели назначения.
Разработка микросхем для изделий спецтехники,
включая интегральные схемы повышенной устойчивости
к специальным факторам, повышенной
помехозащищенности и надежности, в соответствии с
реализуемыми и перспективными программами создания
систем вооружений и военной техники (включая
автоматизированные системы управления и
специальную бортовую аппаратуру).
Разработка ряда новых технологий для создания
электронной элементной базы
Сроки и этапы Выполнение всех заданий подпрограммы планируется
реализации на период со II кв. 2000 г. по IV кв. 2004 г.
подпрограммы На первом этапе разрабатываются комплекты эскизной
конструкторской и технологической документации
(ЭКД, ЭТД), изготавливаются экспериментальные
образцы.
На втором этапе планируется изготовление опытных
образцов, комплектов КД и ТД.
На третьем этапе планируется серийное освоение
разработанных изделий и технологических процессов
Перечень Раздел 1 "Разработка и освоение серий цифровых,
составных частей аналоговых и цифро-аналоговых интегральных
подпрограммы и микросхем двойного применения", в том числе 16- и
основных 32-разрядных процессоров и микроконтроллеров,
мероприятий, их специализированных БИС ЦОС, контроллеров ЖКИ,
исполнители, стандартных линейных микросхем, БМК от 10 до 100 К
сроки реализации вентилей, аналого-цифровых матриц на основе КМОП
технологий, операционных усилителей.
УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл", ОАО
"Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
2000-2004 гг.
Раздел 2 "Разработка и освоение серий цифровых,
аналоговых и цифро-аналоговых интегральных
микросхем специального назначения", в том числе
серий стандартных цифровых логических интегральных
схем, 1 М и 2 М КМОП СБИС ПЗУ, устойчивых к
специальным факторам.
УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл", ОАО
"Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
2000-2004 гг.
Раздел 3: "Разработка технологии создания
электронной элементной базы".
УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл",
ОАО "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
2000-2004 гг.
Объемы и Подпрограмма финансируется на 38,2% за счет средств
основные бюджета Союза Беларуси и России и Союзного
источники государства, а на 61,8% - за счет внебюджетных
финансирования, средств.
направления Средства бюджета Союза Беларуси и России и Союзного
расходования государства направляются на выполнение ОКР.
финансовых Внебюджетные средства направляются на обеспечение
средств. Всего, выполнения ОКР и на внедрение их результатов в
в т.ч. по годам производство на предприятиях - исполнителях
подпрограммы
(тыс. российских рублей)
-----------------------------T------T-------T-------T-------T-------T-------¬
¦ Объемы и распределение ¦Всего ¦2000 г.¦2001 г.¦2002 г.¦2003 г.¦2004 г.¦
¦ расходов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+-------+
¦Всего ¦345700¦ 19157 ¦ 71150 ¦ 53560 ¦ 89540 ¦112293 ¦
¦из них: Республика Беларусь ¦142200¦ - ¦ 22803 ¦ 20074 ¦ 39490 ¦ 59833 ¦
¦ Российская Федерация¦203500¦ 19157 ¦ 48347 ¦ 33486 ¦ 50050 ¦ 52460 ¦
¦в том числе: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+-------+
¦Средства бюджета Союзного ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦государства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦всего ¦132207¦ 19157 ¦ 45900 ¦ 20150 ¦ 26984 ¦ 20016 ¦
¦из них: Республика Беларусь ¦ 39807¦ - ¦ 15103 ¦ 8664 ¦ 8484 ¦ 7556 ¦
¦ Российская Федерация¦ 92400¦ 19157 ¦ 30797 ¦ 11486 ¦ 18500 ¦ 12460 ¦
¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
+----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+-------+
¦Внебюджетные средства ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦
¦всего ¦213493¦ - ¦ 25250 ¦ 33410 ¦ 62556 ¦ 92277 ¦
¦из них: Республика Беларусь ¦102393¦ - ¦ 7700 ¦ 11410 ¦ 31006 ¦ 52277 ¦
¦ Российская Федерация¦111100¦ - ¦ 17550 ¦ 22000 ¦ 31550 ¦ 40000 ¦
L----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+--------
Конечные Разработка, организация производства и поставки серий новых
результаты микросхем для систем вооружений и военной техники,
реализации приоритетных отраслей промышленности (машиностроения,
подпрограммы, средств связи и телекоммуникаций, бытовой техники и др.).
сроки Сроки окупаемости в зависимости от типа изделия составят от
возвратности 2 до 4 лет
средств
Система Работы головного исполнителя и исполнителей подпрограммы
организации и организуют и контролируют Государственный
контроля за заказчик-координатор и Государственный заказчик. Общий
исполнением контроль осуществляет Постоянный Комитет Союзного
подпрограммы государства
<<< Главная
страница | < Назад
|
