ПРАВО - Законодательство Республики Беларусь
 
Реклама в Интернет
"Все Кулички"
Поиск документов

Реклама
Рассылка сайта
Content.Mail.Ru
Реклама


 

 

Правовые новости


Новые документы


Авто новости


Юмор




по состоянию на 17 октября 2004 года

<<< Главная страница | < Назад


        ПОСТАНОВЛЕНИЕ СОВЕТА МИНИСТРОВ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА
                      29 октября 2003 г. № 20

О ПРОДЛЕНИИ НА 2004 ГОД ПОДПРОГРАММЫ СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА
"РАЗРАБОТКА И ОСВОЕНИЕ СЕРИЙ ЦИФРОВЫХ, ЦИФРО-АНАЛОГОВЫХ,
АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ДЛЯ АППАРАТУРЫ
СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ И ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ", ВНЕСЕНИИ
В НЕЕ ИЗМЕНЕНИЙ И ДОПОЛНЕНИЙ

     Совет Министров Союзного государства ПОСТАНОВЛЯЕТ:
     1. Согласиться  с  предложением  Министерства   промышленности,
науки    и    технологий   Российской   Федерации   и   Министерства
промышленности Республики Беларусь о продлении  на  2004  год  срока
реализации  подпрограммы Союзного государства "Разработка и освоение
серий цифровых,  цифро-аналоговых, аналоговых интегральных микросхем
для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее
- Подпрограмма),  внесении в нее изменений и дополнений с уточнением
объемов   работ   и  увеличением  размера  бюджетных  затрат  на  ее
выполнение в сумме  до  38516  тыс.рублей  (в  том  числе  до  30960
тыс.рублей  -  за  счет  отчислений  Российской  Федерации и до 7556
тыс.рублей - за счет отчислений Республики Беларусь), обеспечивающих
максимальное  достижение  запланированных  в  указанной Подпрограмме
конечных результатов.
     Уточненная редакция Подпрограммы прилагается.
     2. Осуществить  дополнительное   финансирование   расходов   на
реализацию  Подпрограммы  в  2003  году  в  сумме 18500   тыс.рублей
(долевые отчисления Российской Федерации) в порядке, предусмотренном
статьями   4   и   5  бюджета  Союзного  государства  на  2003  год,
утвержденного   Постановлением   Высшего   Государственного   Совета
Союзного государства от 20 января 2003 г. № 1.
     3. Определить Министерство промышленности,  науки и  технологий
Российской   Федерации  государственным  заказчиком-координатором  и
Министерство промышленности Республики  Беларусь  -  государственным
заказчиком Подпрограммы.
     4. Настоящее  постановление  вступает  в  силу   со   дня   его
подписания.

Председатель Совета Министров
Союзного государства                                      М.Касьянов

                                      УТВЕРЖДЕНО
                                      Постановление Совета Министров
                                      Союзного государства
                                      29.10.2003 № 20

ПОДПРОГРАММА
Союзного государства "Разработка и освоение серий цифровых,
цифро-аналоговых, аналоговых интегральных микросхем для
аппаратуры специального назначения и двойного применения"

   (Уточненная редакция выполняющейся в 2000-2003 гг. одноименной
 подпрограммы, утвержденной постановлением Исполнительного Комитета
         Союза Беларуси и России от 12 февраля 1999 г. № 2)

                             СОДЕРЖАНИЕ

 1. Введение
 2. Цель подпрограммы
 3. Основные технические показатели
 4. Основные этапы выполнения подпрограммы
 5. Исполнители подпрограммы
 6. Состав  разрабатываемых интегральных микросхем и технологических
    процессов
 7. Ожидаемые результаты реализации подпрограммы
 8. Структура расходов на подпрограмму
 9. Система   программных   мероприятий   и  ресурсное   обеспечение
    подпрограммы
10. Паспорт подпрограммы Союзного государства "Разработка и освоение
    серий цифровых,   цифро-аналоговых,   аналоговых    интегральных
    микросхем для  аппаратуры  специального  назначения  и  двойного
    применения" (уточненная редакция)

                            1. Введение

     Радиоэлектронная отрасль,    как    совокупность     проектных,
научно-исследовательских    организаций    и   базовых   заводов   -
изготовителей высокоинтеллектуальной продукции  и  элементной  базы,
включающая  обеспечение трудовыми,  материальными,  энергоресурсами,
социально-бытовой сферой,  является ведущей отраслью  экономики  как
Республики Беларусь, так и Российской Федерации.
     Электронная промышленность,        являющаяся       подотраслью
радиоэлектронной промышленности, снабжает элементной базой не только
радиоэлектронные  отрасли  в  целом,  но и другие наукоемкие отрасли
промышленности и народного хозяйства - машиностроение,  информатику,
транспорт,  связь  и  т.д.,  обеспечивая  их  технический  уровень и
конкурентоспособность на мировом рынке и рынке СНГ.
     Для успешной  интеграции  в  мировое  экономическое  сообщество
необходимо совместно развивать электронную промышленность в России и
Беларуси  в  духе Декларации о дальнейшем единении Беларуси и России
от 25 декабря 1998 года.
     Важнейшим инструментом       такой       политики      являются
научно-технические  программы  на  основе  органического   сочетания
научных  разработок,  прикладных исследований,  опытного и серийного
производства элементной базы и законченных изделий.
     Данная подпрограмма   является   составной   частью   программы
"Создание  и   серийное   производство   автоматизированных   систем
управления,  бортовой  радиолокационной аппаратуры,  изделий бытовой
радио-  и  электротехники",  одобренной   решением   Исполнительного
Комитета  Сообщества  Беларуси  и  России от 4 сентября 1996 г.  № 4
(п.18   Перечня   совместных   межгосударственных    программ),    и
обеспечивает разработку и организацию выпуска элементной базы нового
класса,  позволяющей   создавать   конкурентоспособные   изделия   и
аппаратуру,    расширить    объемы    товарных    потоков,   создать
усовершенствованные  специализированные   системы   для   укрепления
обороноспособности   Республики  Беларусь  и  Российской  Федерации,
увеличить объемы валютных поступлений, в значительной степени решить
проблему импортозамещения.

                        2. Цель подпрограммы

     Целью подпрограммы является:
     - разработка  и  освоение  серий   цифровых,  цифро-аналоговых,
аналоговых   микросхем  для  приоритетных  отраслей  промышленности,
бытовой техники и аппаратуры  специального  назначения  (планируется
создание   широкого   спектра   интегральных   микросхем  различного
функционального назначения);
     - разработка   микросхем   для   изделий  спецтехники,  включая
интегральные  схемы  (ИС)  повышенной  устойчивости  к   специальным
факторам, повышенной помехозащищенности и надежности, в соответствии
с  реализуемыми  и  перспективными   программами   создания   систем
вооружений  и  военной  техники  (включая автоматизированные системы
управления и специальную бортовую аппаратуру);
     - разработка   ряда   новых   технологий,  предназначенных  для
создания   электронной   элементной   базы,   в   рамках   настоящей
подпрограммы.
     Подпрограмма охватывает  сферу   проектирования   и   серийного
освоения  изделий  электронной техники (ИЭТ) двойного и специального
назначения, технологического обеспечения. Это позволит резко поднять
качество,   снизить  себестоимость,  уменьшить  сроки  разработки  и
освоения  ИЭТ,  обеспечив  тем  самым  их  конкурентоспособность   и
независимость   от   поставок   по  импорту,  создать  новые,  более
совершенные промышленные, бытовые и оборонные системы.

                 3. Основные технические показатели

     В ходе реализации трех  взаимосвязанных  разделов  подпрограммы
планируется   разработка  целого  ряда  интегральных  схем  и  новых
технологических процессов:
     1. микросхемы двойного назначения:
     микросхемы 8- и 16-разрядных микроконтроллеров,  микросхемы для
цифровой обработки сигналов,  16/32 КМОП микропроцессорный комплект,
стандартные линейные микросхемы,  серия контроллеров  ЖКИ,  ряд  БМК
емкостью  от  10 до 100 К вентилей,  аналого-цифровая матрица,  КМОП
статическое ОЗУ емкостью 1 Мбит, БиКМОП  аналого-цифровых  БМК,  ряд
операционных  усилителей  и  др.  Всего  планируется  разработать  и
освоить 39 типов новых микросхем двойного назначения с  техническими
характеристиками, соответствующими мировому уровню;
     2. микросхемы специального назначения:
     КМОП ПЗУ емкостью 1 М и  2 М, устойчивые к спецфакторам,  серия
быстродействующих КМОП логических схем типа 54АСТ.  Всего по второму
разделу планируется разработать и внедрить в серийное производство в
РБ и РФ 42 типа микросхем;
     3. новые     технологические     операции,     конструкции    и
технологические процессы:
     новые конструкции  и  технологические  процессы   изготовления,
библиотеки параметров и элементов 8-16-разрядных микроконтроллеров с
проектными нормами от 0,7 до 1,2 мкм,  в том  числе  со  встроенными
блоками  ЭСППЗУ  до 16 Кбит,  ПЗУ - до 256 Кбит,  ОЗУ - до 256 байт;
технологию  формирования  структур  типа   кремний   на   изоляторе,
технологический  процесс химико-механического полирования межслойных
диэлектриков,   технологические   процессы    планаризации,    блока
многослойной металлизации и др.  По всем заданиям настоящего раздела
планируется  достижение  технических   параметров,   соответствующих
мировому уровню.

             4. Основные этапы выполнения подпрограммы

     Подпрограмма "База" утверждена Постановлением  Исполкома  Союза
Беларуси и России от 12 февраля 1999 г.  № 2.  Согласно подпрограмме
сроки ее реализации - 2000-2003 годы.
     Плановые и   фактические   объемы   бюджетного   финансирования
подпрограммы приведены в следующей таблице.

                           (тыс. российских рублей (в текущих ценах)
------T------------------------T------------------------T----------¬
¦     ¦ План по подпрограмме   ¦  Факт на 01.01.2003    ¦Дата      ¦
¦ Год ¦ (в ценах мая 1998 г.)  ¦                        ¦открытия  ¦
¦     +-------T-------T--------+-------T-------T--------+финансиро-¦
¦     ¦ всего ¦Россия ¦Беларусь¦ всего ¦Россия ¦Беларусь¦вания     ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+----------+
¦2000 ¦34860,0¦22260,0¦12600,0 ¦19156,6¦19156,6¦   -    ¦ сентябрь ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+----------+
¦2001 ¦30230,0¦20150,0¦10080,0 ¦45209,0¦30797,4¦14411,6 ¦   март   ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+----------+
¦2002 ¦20150,0¦13740,0¦ 6410,0 ¦20150,0¦11486,0¦ 8664,0 ¦  апрель  ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+----------+
¦2003 ¦ 7760,0¦ 5290,0¦ 2470,0 ¦   -   ¦   -   ¦   -    ¦          ¦
+-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+----------+
¦ВСЕГО¦93000,0¦61440,0¦31560,0 ¦84515,6¦61440,0¦23075,6 ¦          ¦
L-----+-------+-------+--------+-------+-------+--------+-----------

     Из таблицы   следует,    что    на    01.01.2003    фактическое
финансирование  подпрограммы составило 90,88%  от номинальной суммы,
предусмотренной подпрограммой.
     По состоянию на  1  января  2003  г.  уже  выполнены  следующие
работы:
     по приборной части подпрограммы:
     завершены этапы разработки ТЗ и  плановой  документации  по  24
ОКР,  этапы разработки эскизных проектов по 18 ОКР, этапы разработки
технических  проектов  по  11  ОКР;  в  процессе   этого   проведена
разработка архитектуры,  алгоритмов функционирования, математических
моделей схем электрических принципиальных, топологии разрабатываемых
микросхем, верификация проектов на разработанных тестах;
     по 8 ОКР изготовлены и  исследованы  экспериментальные  образцы
микросхем, в том числе:
     - серия из  8  типов  стабилизаторов  напряжения  положительной
полярности с температурным диапазоном -45...+125°С;
     - 8-разрядный  микроконтроллер  с  системой  команд   семейства
MSC-51 и встроенным драйвером ЖКИ;
     - серия  из  4  типов  КМОП  базовых  матричных  кристаллов   с
количеством вентилей 10, 30, 60 и 100 тысяч;
     - драйверы матричного ЖКИ типа SED1670 и SED1606;
     - серия  из  3  типов  БИС:  нерекурсивного  цифрового фильтра,
приемопередатчика манчестерского кода, автокомпенсатора;
     - серия  из  40  типов  быстродействующих  КМОП  логических ИС,
устойчивых к спецфакторам (аналог серии 54АСТ);
     - микропроцессорный   комплект   из   2   типов   микросхем   -
16/32-разрядного КМОП процессора (аналог 1801ВМЗ) и 32/64-разрядного
КМОП  сопроцессора  обработки  чисел  с  плавающей  запятой  (аналог
1801ВМ4),   процессор   корреляционной   предобработки   спутниковых
сигналов навигационной системы "ГЛОНАСС/НАВСТАР";
     - БИС КМОП ПЗУ емкостью 2 М;
     по 7  ОКР  разработаны  рабочая  документация  и проекты ТУ для
изготовления опытных партий;
     по 3 ОКР изготовлены и испытаны опытные образцы;
     2 ОКР сданы межведомственной  комиссии  в  полном  объеме  и  в
соответствии с ТЗ;
     по комплексу работ технологической части подпрограммы:
     завершены этапы  разработки  ТЗ  и  плановой документации по 11
ОКР, этапы разработки технологических маршрутов - по 8 ОКР;
     изготовлены образцы  пластин с тестовыми кристаллами уровня 0,5
мкм;
     разработана опытная    технология    глобальной    планаризации
топологического рельефа при изготовлении СБИС с  проектными  нормами
0,5  мкм  и  менее на основе применения процесса химико-механической
полировки, проведены опытные партии;
     завершена и сдана межведомственной комиссии в полном объеме и в
соответствии  с  ТЗ  ОКР  по  разработке  технологических  процессов
нанесения   диэлектрических   покрытий  и  планаризации  поверхности
пластин;
     проведены технологические  исследования,  определена  структура
технологических  процессов  и  разработаны  технологические маршруты
базовых технологий для выпуска:
     - высоковольтных (до 40 В) ИС;
     - структур  типа  кремний  на изоляторе для расширенного класса
СБИС, включая быстродействующие и высоковольтные;
     - универсальных  КМОП  микроконтроллеров с проектной нормой 0,8
мкм;
     - библиотеки элементов микроконтроллеров с RISC архитектурой;
     - расширенной номенклатуры БиКМОП СБИС;
     - СБИС  специального и двойного применения с проектными нормами
0,5-0,7 мкм;
     проведены технологические  исследования  и  определены основные
параметры и структура следующих технологических процессов:
     - нанесения диэлектрических покрытий и планаризации поверхности
пластин для базовой субмикронной технологии;
     - химико-механической    полировки    топологического   рельефа
технологических структур СБИС для базового процесса уровня 0,5 мкм;
     - формирования   многослойной   (3-4   слоя)   металлизации   с
использованием планаризации жидким стеклом.
     Причинами к введению изменений в подпрограмму и продлению срока
ее реализации на один год являются:
     1. Изменение  требований  к  номенклатуре и основным параметрам
СБИС, произошедшее за время с момента разработки подпрограммы.
     2. Появление с 2002 года дублирующих работ, связанных с началом
реализации в  России  Федеральной  целевой  программы  "Национальная
технологическая база".
     3. Появление с 2001  года  дублирующих  работ,  выполняемых  по
Государственному оборонному заказу России.
     В целях  учета  этих  изменений   и   координации   с   другими
программами,  ведущимися  в  данном  направлении,  был  разработан и
согласован  с  заказывающими  подразделениями  Министерства  обороны
Российской  Федерации  уточненный  "Перечень изделий для включения в
план работ совместной российско-белорусской подпрограммы "Разработка
и освоение серий цифровых, цифро-аналоговых, аналоговых интегральных
микросхем  для  аппаратуры  специального   назначения   и   двойного
применения" (шифр "База")".
     В нем учтены требования разработчиков аппаратурных комплексов и
систем,  создаваемых  по  заказам  Министерства  обороны  Российской
Федерации и других министерств и ведомств,  изменившиеся  с  момента
разработки подпрограммы.
     4. Существенное изменение с момента разработки подпрограммы цен
на материалы,  комплектующие,  энергоносители и затрат на заработную
плату в отрасли.
     5. Расчет расходов на подпрограмму исходно был произведен во II
квартале 1998 года (Раздел  8  подпрограммы).  Поэтому,  в  связи  с
высоким уровнем инфляции за прошедшие 4 года выполнение подпрограммы
в полном объеме  при  запланированном  ранее  объеме  финансирования
невозможно по причине его недостаточности.
     С учетом    сделанных   уточнений   выполнение   всех   заданий
подпрограммы планируется на период с III кв.  2000 г. по IV кв. 2004
г.  с  объемом  ее  финансирования из бюджета Союзного государства в
2003 году в размере 26984,0 тыс.руб.  РФ,  а в 2004 году - в размере
20016,0  тыс.руб.  РФ,  а  также  с привлечением собственных средств
предприятий в размере 62556,0 тыс.руб.  в 2003 году, а в 2004 году -
в размере 92277,0 тыс.руб.
     Предлагаемое изменение  позволит  выполнить  важнейшие  задания
подпрограммы  с  учетом  исключения  дублирования   работ   по   ФЦП
"Национальная  технологическая  база",  заказа  Министерства обороны
России и оптимальным образом реализовать в  виде  законченных  работ
затраченные в 2000-2003 гг. средства на выполнение подпрограммы.
     Задания подпрограммы    выполняются    в     виде     комплекса
опытно-конструкторских работ (ОКР),  результаты которых внедряются в
производство на предприятиях - исполнителях подпрограммы.

                    5. Исполнители подпрограммы

     Основными исполнителями подпрограммы являются:
     от Российской Федерации:
     - Научно-техническая ассоциация (НТА) "Субмикро"  (г.Москва)  -
Головной   исполнитель   -   организационно-техническое  обеспечение
проведения подпрограммы, координация работ по подпрограмме в целом и
контроль за ее исполнением;
     - ОАО "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон" (г.Москва);
     от Республики Беларусь:
     - НПО "Интеграл" (г.Минск).
     К реализации основных заданий и этапов подпрограммы планируется
привлечение более 20  отраслевых  НИИ,  КБ,  заводов,  академических
институтов и ВУЗов.

          6. Состав разрабатываемых интегральных микросхем
                    и технологических процессов

     Общая характеристика и  перечень  разрабатываемых  интегральных
микросхем и технологических процессов представлены в разделе 9.

          7. Ожидаемые результаты реализации подпрограммы

     В итоге реализации этапов и заданий подпрограммы будут получены
следующие основные результаты:
     1. На заводах электронной промышленности Республики Беларусь  и
Российской     Федерации     будет     организовано     производство
конкурентоспособной элементной базы для  удовлетворения  потребности
народного  хозяйства и обороны,  наращивания экспортного потенциала,
решения проблемы импортозамещения.
     2. Будут   сохранены   и   созданы   новые   рабочие   места  в
радиоэлектронной,    машиностроительной    и     других     отраслях
промышленности.
     3. Будут разработаны,  созданы  опытные  образцы  и  освоены  в
производстве  свыше  80  современных  интегральных схем специального
назначения  и  двойного  применения,  разработаны   и   внедрены   в
производство новые технологические процессы, позволяющие многократно
повысить  степень  интеграции  и   эксплуатационные   характеристики
интегральных схем.
     4. Будет    сохранен    и    получит    дальнейшее     развитие
научно-технический   потенциал   электронной   промышленности   двух
государств за счет объединения их усилий и финансовых средств.
     5. Планируемый объем реализации разработанных изделий только за
два года (2004-2005 гг.) составит более 30 млн.дол.США.
     Реализация    подпрограммы   позволит  Республике  Беларусь   и
Российской      Федерации    организовать    производство       ряда
конкурентоспособных  отечественных  изделий  электронной  техники  и
обеспечить их поставки на внутренний и внешний рынки.

               8. Структура расходов на подпрограмму

     Подпрограмма финансируется на 38,2%  за  счет  средств  бюджета
Союза Беларуси и России и Союзного государства, а на 61,8% - за счет
внебюджетных  средств.   Средства   бюджета   Союзного   государства
направляются  на выполнение ОКР.  Внебюджетные средства направляются
на обеспечивающие мероприятия по выполнению ОКР и на  финансирование
подготовки производства на предприятиях - исполнителях подпрограммы.
     Структура расходов на подпрограмму  в  тыс.  российских  рублей
приведена в таблице 1.

                                                           Таблица 1

-----------------------------T------T-------T-------T-------T-------T-------¬
¦   Объемы и распределение   ¦Всего ¦2000 г.¦2001 г.¦2002 г.¦2003 г.¦2004 г.¦
¦           расходов         ¦      ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦
+----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+-------+
¦Всего                       ¦345700¦ 19157 ¦ 71150 ¦ 53560 ¦ 89540 ¦112293 ¦
¦из них: Республика Беларусь ¦142200¦   -   ¦ 22803 ¦ 20074 ¦ 39490 ¦ 59833 ¦
¦        Российская Федерация¦203500¦ 19157 ¦ 48347 ¦ 33486 ¦ 50050 ¦ 52460 ¦
¦в том числе:                ¦      ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦
+----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+-------+
¦Средства бюджета Союзного   ¦      ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦
¦государства                 ¦      ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦
¦всего                       ¦132207¦ 19157 ¦ 45900 ¦ 20150 ¦ 26984 ¦ 20016 ¦
¦из них: Республика Беларусь ¦ 39807¦   -   ¦ 15103 ¦  8664 ¦  8484 ¦  7556 ¦
¦        Российская Федерация¦ 92400¦ 19157 ¦ 30797 ¦ 11486 ¦ 18500 ¦ 12460 ¦
+----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+-------+
¦Внебюджетные средства       ¦      ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦
¦всего                       ¦213493¦   -   ¦ 25250 ¦ 33410 ¦ 62556 ¦ 92277 ¦
¦из них: Республика Беларусь ¦102393¦   -   ¦ 7700  ¦ 11410 ¦ 31006 ¦ 52277 ¦
¦        Российская Федерация¦111100¦   -   ¦ 17550 ¦ 22000 ¦ 31550 ¦ 40000 ¦
L----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+--------

     Примечание. Расчет  расходов  на  подпрограмму произведен во II
квартале 2002 г.

     9. Система программных мероприятий и ресурсное обеспечение
                            подпрограммы
*                                                                       
                                                           Таблица 2

------------------T-----------T--------T-------------------------------------------------------------------T---------T---------------------------¬
¦                 ¦           ¦        ¦                Сметная стоимость работ по годам                   ¦         ¦                           ¦
¦                 ¦           ¦        ¦                      (до 2004 г. включительно), тыс.руб.          ¦Распре-  ¦                           ¦
¦                 ¦           ¦        +--------T----------------------------------------------------------+деление  ¦   Основные полученные     ¦
¦  Наименование   ¦ Органи-   ¦Сроки   ¦        ¦                   В том числе:                           ¦бюджет-  ¦ или ожидаемые результаты  ¦
¦     работ       ¦ зация-    ¦выпол-  ¦        +-------------------------------------------------T--------+ного     ¦     за 2000-2002 гг.      ¦
¦  подпрограммы   ¦исполнитель¦нения   ¦Всего   ¦         бюджет Союзного государства             ¦Внебюд- ¦финанси- ¦                           ¦
¦                 ¦           ¦(год,   ¦за 2000-+--------T-------T-------T-------T-------T--------+жетные  ¦рования, ¦   Основные ожидаемые      ¦
¦                 ¦           ¦квартал)¦2004 гг.¦ 2000-  ¦2002 г.¦2003 г.¦2003 г.¦2004 г.¦Всего   ¦средства¦тыс.руб.,¦результаты на 2003-2004 гг.¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦2001 гг.¦       ¦ План  ¦Пред-  ¦Пред-  ¦за 2000-¦за 2000-¦РФ/РБ    ¦                           ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦  Факт  ¦       ¦       ¦ложение¦ложение¦2004 гг.¦2004 гг.¦         ¦                           ¦
L-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+----------------------------

           1. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ

------------------T-----------T--------T--------T--------T-------T-------T-------T-------T--------T--------T---------T---------------------------¬
¦1.1. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦   52998¦     880¦   2370¦   1800¦   4068¦   4731¦   19969¦   33029¦   13146/¦Микросхема 16-разрядного   ¦
¦серии            ¦"Интеграл",¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦     6823¦микроконтроллера с         ¦
¦16-разрядных     ¦ОАО        ¦2004 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦RISC-архитектурой.         ¦
¦микроконтроллеров¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработан эскизный проект.¦
¦для систем       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Изготовлены и исследованы  ¦
¦цифровой         ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦экспериментальные образцы. ¦
¦обработки        ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будет разработана рабочая  ¦
¦сигналов         ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦КД, ТД, проект ТУ.         ¦
¦и комплекта      ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будут изготовлены и        ¦
¦программно-      ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦испытаны опытные образцы.  ¦
¦аппаратных       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Микросхемы                 ¦
¦средств, в том   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦приемопередатчика          ¦
¦числе для систем ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦манчестерского кода,       ¦
¦"ГЛОНАСC",       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦автокомпенсатора,          ¦
¦включая 1806ВМ3  ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦нерекурсивного цифрового   ¦
¦и 1806ВM4        ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦фильтра.                   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Изготовлены и исследованы  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦экспериментальные образцы. ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Начата разработка рабочей  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦КД и ТД.                   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Микросхемы 6-канального    ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦цифрового коррелятора      ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦обработки                  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦радионавигационных сигналов¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦"ГЛОНАСC/НАВСТАР", КМОП    ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦16-разрядного процессора   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦обработки чисел с          ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦фиксированной запятой,     ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦32-разрядного сопроцессора ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦обработки чисел с плавающей¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦запятой.                   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Изготовлены и исследованы  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦экспериментальные образцы. ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработаны рабочая КД, ТД,¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦проект ТУ.                 ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будут изготовлены и        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦испытаны опытные образцы.  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Все разработанные изделия  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦будут поставлены на        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦серийное производство      ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.2. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦   34277¦    4990¦   2800¦   2827¦   1960¦   1570¦   11320¦   22957¦    3245/¦Серия стандартных линейных ¦
¦серии стандартных¦"Интеграл",¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦     8075¦интегральных микросхем     ¦
¦линейных         ¦ОАО "НИИМЭ ¦2004 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦(аналоги LM117, LM158,     ¦
¦микросхем        ¦и Микрон"  ¦II кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦LM193, LM124, LM139,       ¦
¦(ан.LМ117, LМ158,¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦MC78XX, MC79XX).           ¦
¦LM193 и др.)     ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Изготовлены и исследованы  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦экспериментальные образцы. ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработаны рабочая КД и   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦ТД, проект ТУ.             ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будут изготовлены и        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦испытаны опытные образцы.  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Изделия будут поставлены на¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦серийное производство.     ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.3. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦   23991¦    4509¦    950¦      -¦    911¦   1870¦    8240¦   15751¦    1773/¦Микросхема 8-разрядного    ¦
¦контроллеров ЖКИ ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦     6467¦микроконтроллера с системой¦
¦для устройств    ¦           ¦2004 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦команд семейства MSC-51 и  ¦
¦отображения      ¦           ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦встроенным драйвером ЖКИ.  ¦
¦информации       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Изготовлены и исследованы  ¦
¦средней и большой¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦экспериментальные образцы. ¦
¦информативности  ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработаны рабочая КД и   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦ТД, проект ТУ.             ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будут изготовлены и        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦испытаны опытные образцы.  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Микросхемы драйверов       ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                  2        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦сегментных ЖКИ с I C       ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦интерфейсом (аналоги       ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦PCF8576, PCF8577).         ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработан технический     ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦проект. Изготовлены и      ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦исследованы                ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦экспериментальные образцы. ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будут разработаны рабочая  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦КД и ТД, проект ТУ.        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будут изготовлены и        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦испытаны опытные образцы.  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Все разработанные изделия  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦будут поставлены на        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦серийное производство      ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.4. Разработка  ¦ОАО        ¦2000 г. ¦   14123¦    2520¦   3200¦      -¦      -¦      -¦    5720¦    8403¦    5720/¦Контроллеры ЖКИ для        ¦
¦контроллеров ЖКИ ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦        -¦устройств отображения      ¦
¦для устройств    ¦           ¦2002 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦информации с техническими  ¦
¦отображения      ¦           ¦IV кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦характеристиками,          ¦
¦информации с     ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦соответствующими аналогам  ¦
¦техническими     ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦SED1670, 1606.             ¦
¦характеристиками,¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработаны и исследованы  ¦
¦соответствующими ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦экспериментальные образцы. ¦
¦аналогам         ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработаны рабочая КД и   ¦
¦SED1670, 1606    ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦ТД, проект ТУ.             ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Изготовлены опытные        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦образцы. Изделия поставлены¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦на серийное производство   ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.5. Разработка  ¦ОАО        ¦2000 г. ¦   15664¦    2860¦    520¦      -¦   2964¦      -¦    6344¦    9320¦    6344/¦Серия микросхем КМОП БМК с ¦
¦серии микросхем  ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦        -¦количеством вентилей 10,   ¦
¦КМОП БМК с       ¦           ¦2003 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦30, 60 и 100 тысяч.        ¦
¦количеством      ¦           ¦IV кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработаны и исследованы  ¦
¦вентилей 10, 30, ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦экспериментальные образцы. ¦
¦60 и 100 тысяч   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработаны рабочая КД и   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦ТД, проект ТУ.             ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будут изготовлены и        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦испытаны опытные образцы.  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Изделие будет поставлено на¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦серийное производство      ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.6. Разработка  ¦ОАО        ¦2000 г. ¦   18328¦    1115¦      -¦      -¦   1800¦   4508¦    7423¦   10905¦    7423/¦Микросхемы аналого-цифровых¦
¦микросхем        ¦"Ангстрем" ¦I кв.   ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦        -¦БиКМОП БМК.                ¦
¦аналого-цифровых ¦           ¦2004 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Начата разработка          ¦
¦БиКМОП БМК       ¦           ¦IV кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦технического проекта.      ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будут разработаны и        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦исследованы                ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦экспериментальные образцы. ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будут разработаны рабочая  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦КД и ТД, проект ТУ. Будут  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦изготовлены и испытаны     ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦опытные образцы. Изделие   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦будет поставлено на        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦серийное производство      ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.7. Разработка  ¦ОАО        ¦2000 г. ¦   11983¦    2570¦    976¦      -¦    500¦    807¦    4853¦    7130¦    4853/¦БИС СОЗУ емкостью 1 М      ¦
¦КМОП статических ¦"Ангстрем",¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦        -¦(128 К х 8). Разработан    ¦
¦ОЗУ емкостью     ¦ОАО "НИИМЭ ¦2004 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦технический проект.        ¦
¦1 Мбит           ¦и Микрон"  ¦II кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработаны рабочая КД и   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦ТД, проект ТУ.             ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будут изготовлены и        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦испытаны опытные образцы.  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Изделие будет поставлено на¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦серийное производство      ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.8. Разработка  ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦серии стандартных¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦аналоговых       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦микросхем, в том ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦числе:           ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.8.1. Разработка¦ОАО "НИИМЭ ¦2000 г. ¦    3901¦    1580¦      -¦      -¦      -¦      -¦    1580¦    2321¦    1580/¦Разработана архитектура    ¦
¦КМОП АЦП и       ¦и Микрон"  ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦        -¦КМОП АЦП и                 ¦
¦быстродействующих¦           ¦2001 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦быстродействующих 10- и    ¦
¦10- и            ¦           ¦IV кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦12-разрядных АЦП           ¦
¦12-разрядных АЦП ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦конвейерного типа.         ¦
¦конвейерного типа¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Примечание. Работы         ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦прекращены по причине      ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦дублирования с ОКР,        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦выполняемыми в рамках      ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦государственного оборонного¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦заказа. Полученные         ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦результаты используются при¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦выполнении ОКР "Ириска" и  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦др.                        ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦1.8.2. Разработка¦ОАО "НИИМЭ ¦2000 г. ¦     815¦     330¦      -¦      -¦      -¦      -¦     330¦     485¦     330/¦Разработаны архитектура и  ¦
¦ряда КМОП        ¦и Микрон"  ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦        -¦эскизные электрические     ¦
¦малошумящих      ¦           ¦2001 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦схемы КМОП малошумящих     ¦
¦быстродействующих¦           ¦IV кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦быстродействующих          ¦
¦операционных     ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦операционных усилителей,   ¦
¦усилителей       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦проведено предварительное  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦моделирование.             ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Примечание. Работа         ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦прекращена по причине      ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦недостаточности            ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦финансирования и будет     ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦продолжена с 2004 года в   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦рамках новой программы     ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Союзного государства       ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦"База-2"                   ¦
L-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+----------------------------

         2. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ

------------------T-----------T--------T--------T--------T-------T-------T-------T-------T--------T--------T---------T---------------------------¬
¦2.1. Разработка  ¦ОАО        ¦2000 г. ¦       -¦       -¦      -¦      -¦      -¦      -¦       -¦       -¦        -¦Работа не выполнялась из-за¦
¦комплекта        ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦потери актуальности на     ¦
¦32-разрядных     ¦           ¦2000 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦этапе разработки ТЗ        ¦
¦процессоров и    ¦           ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦периферийных схем¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦с RISC-          ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦архитектурой с   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦характеристиками,¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦соответствующими ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦аналогам R3000   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦(R3010) ф. IDT   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦и 80860 ф. INTEL ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.2. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦   15952¦    4380¦   1000¦   1920¦   1920¦      -¦    7300¦    8652¦    2808/¦Быстродействующие КМОП     ¦
¦и освоение       ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦     4492¦логические ИС, устойчивые к¦
¦быстродействующих¦           ¦2003 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦спецфакторам (аналоги серии¦
¦КМОП логических  ¦           ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦54АСТ, 40 типов).          ¦
¦ИС, устойчивых   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработаны рабочая КД и   ¦
¦к спецфакторам   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦ТД, проект ТУ.             ¦
¦(аналоги серии   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Изготовлены и испытаны     ¦
¦54АСТ, 40 типов)            ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦опытные образцы.           ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будет проведена            ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦корректировка КД, ТД,      ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦проекта ТУ. Изделие будет  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦поставлено на серийное     ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦производство               ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.3. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦       -¦       -¦      -¦      -¦      -¦      -¦       -¦       -¦        -¦Работа не выполнялась из-за¦
¦низковольтных    ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦потери актуальности на     ¦
¦КМОП логических  ¦           ¦2000 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦этапе разработки ТЗ        ¦
¦ИС, устойчивых   ¦           ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦к спецфакторам   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦(аналоги серии   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦54/LVXXX)        ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.4. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦       -¦       -¦      -¦      -¦      -¦      -¦       -¦       -¦        -¦Работа не выполнялась из-за¦
¦КМОП логических  ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦потери актуальности на     ¦
¦ИС, устойчивых   ¦           ¦2000 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦этапе разработки ТЗ        ¦
¦к спецфакторам   ¦           ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦(аналоги серии   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦54НСХХХ)         ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.5. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦       -¦       -¦      -¦      -¦      -¦      -¦       -¦       -¦        -¦Работа не выполнялась из-за¦
¦элементной базы  ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦потери актуальности на     ¦
¦КМОП логических  ¦           ¦2000 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦этапе разработки ТЗ        ¦
¦ИС, устойчивых   ¦           ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦к спецфакторам   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦(аналоги серии   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦4000 В)          ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.6. Разработка  ¦ОАО        ¦2000 г. ¦   17789¦     950¦    630¦      -¦   3156¦   2469¦    7205¦   10584¦    7205/¦БИС КМОП ПЗУ емкостью 2 М. ¦
¦БИС КМОП ПЗУ     ¦"Ангстрем" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦        -¦Разработан технический     ¦
¦емкостью 2 М     ¦           ¦2004 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦проект. Разработаны рабочая¦
¦                 ¦           ¦IV кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦КД и ТД, проект ТУ.        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будут изготовлены и        ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦испытаны опытные образцы.  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Изделие будет поставлено на¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦серийное производство      ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.7. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦ 10336,4¦    1260¦    900¦      -¦    967¦    900¦    4027¦  6309,4¦     995/¦КМОП СБИС постоянного      ¦
¦КМОП СБИС        ¦"Интеграл" ¦I кв.   ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦     3032¦масочного запоминающего    ¦
¦постоянного      ¦           ¦2004 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦устройства емкостью 1М,    ¦
¦масочного        ¦           ¦II кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦устойчивого к спецфакторам.¦
¦запоминающего    ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработан технический     ¦
¦устройства       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦проект. Разработаны рабочая¦
¦емкостью 1 М,    ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦КД и ТД, проект ТУ.        ¦
¦устойчивого      ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будут изготовлены и        ¦
¦к спецфакторам   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦испытаны опытные образцы.  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Изделие будет поставлено на¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦серийное производство      ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦2.8. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦    2840¦    1150¦      -¦      -¦      -¦      -¦    1150¦    1690¦     550/¦Разработан функциональный  ¦
¦библиотеки       ¦"Интеграл",¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦      600¦состав и схемы             ¦
¦элементов        ¦ОАО "НИИМЭ ¦2001 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦электрические библиотечных ¦
¦специализирован- ¦и Микрон"  ¦IV кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦элементов.                 ¦
¦ных заказных БИС ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Примечание. Выполнение     ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦задания прекращено в связи ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦с началом работ по         ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦направлениям 16, 42 раздела¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦II российской ФЦП          ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦"Национальная              ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦технологическая база".     ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Полученные при выполнении  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦задания результаты         ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦используются при проведении¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦этих работ и               ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦соответствующих НИОКР по   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦белорусской национальной   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦программе "Белэлектроника" ¦
L-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+----------------------------

      3. ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ

------------------T-----------T--------T--------T--------T-------T-------T-------T-------T--------T--------T---------T---------------------------¬
¦3.1. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦   17271¦     290¦    950¦      -¦    820¦   2000¦    4060¦   13211¦     522/¦Разработан технологический ¦
¦технологии       ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦     3538¦маршрут. Проведены         ¦
¦и конструкции    ¦           ¦2004 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦технологические            ¦
¦элементной базы  ¦           ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦исследования и определена  ¦
¦для изготовления ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦структура технологических  ¦
¦КМОП             ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦процессов.                 ¦
¦универсальных    ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будет разработана опытная  ¦
¦микроконтроллеров¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦технология. Будут проведены¦
¦с 0,8 мкм        ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦опытные партии             ¦
¦проектной нормой ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.2. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦   13975¦    3450¦    964¦   1246¦   1246¦      -¦    5660¦    8315¦    2033/¦Проведены технологические  ¦
¦технологии       ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦     3627¦исследования и определена  ¦
¦и библиотеки     ¦           ¦2003 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦структура технологических  ¦
¦проектирования   ¦           ¦IV кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦процессов. Разработана     ¦
¦микроконтроллеров¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦опытная технология.        ¦
¦с RISC-архитек-  ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будут проведены опытные    ¦
¦турой с 0,8 мкм  ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦партии                     ¦
¦проектными       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦нормами          ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.3. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦    2765¦    1120¦      -¦      -¦      -¦      -¦    1120¦    1645¦     170/¦Разработан технологический ¦
¦конструкции      ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦      950¦маршрут изготовления       ¦
¦и технологии     ¦           ¦2001 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦тестового кристалла.       ¦
¦изготовления     ¦           ¦IV кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработаны типовая        ¦
¦элементной базы  ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦структура и правила        ¦
¦БиКМОП СБИС      ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦проектирования тестового   ¦
¦с 0,8-1,0 мкм    ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦БиКМОП кристалла.          ¦
¦проектными       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Примечание. Выполнение     ¦
¦нормами          ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦задания прекращено в связи ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦с началом работ по         ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦направлению 15 раздела II  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦российской ФЦП             ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦"Национальная              ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦технологическая база".     ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Полученные при выполнении  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦задания результаты         ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦используются при проведении¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦этих работ и               ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦соответствующих НИОКР по   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦белорусской национальной   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦программе "Белэлектроника" ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.4. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦   25242¦   10223¦      -¦      -¦      -¦      -¦   10223¦   15019¦    9920/¦Разработан проект базового ¦
¦технологии       ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦      303¦технологического маршрута  ¦
¦структур СБИС    ¦ОАО        ¦2001 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦изготовления тестового     ¦
¦с топологическими¦"Ангстрем",¦IV кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦кристалла уровня 0,5 мкм,  ¦
¦нормами          ¦ОАО "НИИМЭ ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦осуществлено проектирование¦
¦до 0,5 мкм       ¦и Микрон"  ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦тестового кристалла,       ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦изготовлены образцы пластин¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦с тестовыми кристаллами    ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦уровня 0,5 мкм.            ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Примечание. Выполнение     ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦задания прекращено в связи ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦с началом аналогичных работ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦по направлению 15 раздела  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦II российской ФЦП          ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦"Национальная              ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦технологическая база".     ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Полученные при выполнении  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦задания результаты         ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦используются при проведении¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦этих работ и               ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦соответствующих НИОКР по   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦белорусской национальной   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦программе "Белэлектроника" ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.5. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦   35347¦    7760¦      -¦      -¦   5378¦   1161¦   14299¦   21048¦   12399/¦Разработан технологический ¦
¦конструкции      ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦     1900¦маршрут, разработаны       ¦
¦и технологии     ¦ОАО "НИИМЭ ¦2004 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦типовая структура          ¦
¦элементной базы  ¦и Микрон"  ¦II кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦биполярной высоковольтной  ¦
¦аналоговых       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦(до 40 В) ИС и правила     ¦
¦высоковольтных ИС¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦проектирования тестового   ¦
¦и технологии     ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦кристалла. Разработаны     ¦
¦формирования     ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦состав тестовой матрицы,   ¦
¦структур типа    ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦топология тестовой матрицы,¦
¦кремний          ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦ЭКД и ЭТД. Изготовлен      ¦
¦на изоляторе     ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦комплект фотошаблонов,     ¦
¦для расширенного ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦изготовлены эпитаксиальные ¦
¦класса СБИС,     ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦структуры.                 ¦
¦включая          ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработан технологический ¦
¦высоковольтные   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦маршрут формирования       ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦структур типа кремний на   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦изоляторе для расширенного ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦класса СБИС, включая       ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦высоковольтные.            ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будет разработана опытная  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦технология формирования    ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦структур типа кремний на   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦изоляторе для расширенного ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦класса СБИС, включая       ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦высоковольтные             ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.6. Разработка  ¦ОАО "НИИМЭ ¦2000 г. ¦   14787¦    2870¦   3120¦      -¦       ¦      -¦    5990¦    8797¦    5990/¦Разработаны технологические¦
¦технологических  ¦и Микрон"  ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦        -¦процессы нанесения         ¦
¦процессов        ¦           ¦2002 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦диэлектрических покрытий и ¦
¦нанесения        ¦           ¦IV кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦планаризации поверхности   ¦
¦диэлектрических  ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦пластин в обеспечение      ¦
¦покрытий         ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦разработки и производства  ¦
¦и планаризации   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦СБИС с субмикронными       ¦
¦поверхности      ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦проектными нормами         ¦
¦пластин          ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦в обеспечение    ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦разработки       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦и производства   ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦СБИС             ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦с субмикронными  ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦проектными       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦нормами          ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.7. Разработка  ¦ОАО "НИИМЭ ¦2000 г. ¦   12723¦    2090¦   1770¦      -¦   1294¦      -¦    5154¦    7569¦    5154/¦Разработан технологический ¦
¦технологии       ¦и Микрон"  ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦        -¦маршрут. Проведены         ¦
¦глобальной       ¦           ¦2003 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦технологические            ¦
¦планаризации     ¦           ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦исследования. Проведены    ¦
¦топологического  ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦опытные партии, изготовлены¦
¦рельефа          ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦и исследованы опытные      ¦
¦при изготовлении ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦образцы структур с         ¦
¦СБИС с проектными¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦глобально планаризованными ¦
¦нормами 0,5 мкм  ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦слоями диэлектриков.       ¦
¦и менее на основе¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будет разработана          ¦
¦применения       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦техническая документация.  ¦
¦процесса химико- ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Будет проведена аттестация ¦
¦механической     ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦технологических процессов  ¦
¦полировки        ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦3.8. Разработка  ¦НПО        ¦2000 г. ¦     593¦     240¦      -¦      -¦      -¦      -¦     240¦     353¦     240/¦Исследованы процессы       ¦
¦технологического ¦"Интеграл" ¦III кв. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦        -¦планаризации рельефа при   ¦
¦процесса         ¦           ¦2001 г. ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦формировании многослойной  ¦
¦создания блока   ¦           ¦IV кв.  ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦металлизации ИС на основе  ¦
¦многослойной     ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦жидких стекол, наносимых   ¦
¦(3-4 слоя)       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦методом центрифугирования. ¦
¦металлизированной¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Разработан технологический ¦
¦разводки         ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦маршрут и проведена        ¦
¦с использованием ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦подготовка к изготовлению  ¦
¦технологии       ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦опытных образцов.          ¦
¦планаризации     ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Примечание. Выполнение     ¦
¦с жидкими        ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦задания прекращено в связи ¦
¦стеклами         ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦с началом работ по         ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦направлению 15 раздела II  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦российской ФЦП             ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦"Национальная              ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦технологическая база".     ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦Полученные при выполнении  ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦задания результаты         ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦используются при проведении¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦этих работ и               ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦соответствующих НИОКР по   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦белорусской национальной   ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦программе "Белэлектроника" ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦   Всего, в т.ч.:¦           ¦        ¦ 345700 ¦65057   ¦ 20150 ¦ 7793  ¦26984  ¦ 20016 ¦ 132207 ¦ 213493 ¦         ¦                           ¦
¦               РФ¦           ¦        ¦ 203500 ¦49954   ¦ 11486 ¦   -   ¦18500  ¦ 12460 ¦  92400 ¦ 111100 ¦         ¦                           ¦
¦                 ¦           ¦        ¦ ------ ¦-----   ¦ ----- ¦ ----  ¦-----  ¦ ----- ¦ ------ ¦ ------ ¦         ¦                           ¦
¦               РБ¦           ¦        ¦ 142200 ¦15103   ¦  8664 ¦ 7793  ¦ 8484  ¦  7556 ¦  39807 ¦ 102393 ¦         ¦                           ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦       ¦       ¦       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
+-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-------+-------+-------+--------+--------+---------+---------------------------+
¦        Требуется¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦                       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦ дополнительно на¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦                       ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦   2003-2004 гг.:¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦         38516         ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦               РФ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦         30960         ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦                 ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦         -----         ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
¦               РБ¦           ¦        ¦        ¦        ¦       ¦          7556         ¦        ¦        ¦         ¦                           ¦
L-----------------+-----------+--------+--------+--------+-------+-----------------------+--------+--------+---------+----------------------------

     Примечание. Корректировка   подпрограммы    осуществляется    в
обоснованных случаях в установленном порядке.

     Использование научно-технической   продукции,   полученной  при
реализации  мероприятий  данной   подпрограммы,   осуществляется   в
порядке,  устанавливаемом  нормативными  правовыми  актами  Союзного
государства   по   урегулированию   вопросов,    касающихся    права
собственности   на   результаты   научно-технической   деятельности,
полученные в ходе выполнения совместных ОКР.
     До принятия  нормативных  правовых актов Союзного государства в
области охраны интеллектуальной собственности патентование совместно
созданных  результатов  новых научных разработок будет производиться
исходя из доли вклада российских и  белорусских  специалистов  в  их
достижение    и    с   учетом   законодательства   стран-участников,
регулирующего права собственности на  результаты  научно-технической
деятельности.
     До принятия  нормативных  правовых  актов   по   управлению   и
распоряжению  имуществом  Союзного государства порядок использования
опытных и экспериментальных  образцов  оборудования,  созданных  при
выполнении   подпрограммы,   будет   определяться   исходя  из  доли
отчислений  российской  и  белорусской  сторон   на   финансирование
подпрограммы из бюджета Союзного государства.

     10. Паспорт подпрограммы Союзного государства "Разработка
      и освоение серий цифровых, цифро-аналоговых, аналоговых
   интегральных микросхем для аппаратуры специального назначения
            и двойного применения" (уточненная редакция)

Наименование     "Создание и серийное производство
основной         автоматизированных систем управления, бортовой
программы        радиолокационной аппаратуры, изделий бытовой радио-
                 и электротехники"

Уровень, дата
и номер решений:

о разработке     Перечень межгосударственных совместных программ,
основной         одобренный решением Исполкома Сообщества Беларуси и
программы        России от 4 сентября 1996 г. (приложение 1 к
                 протоколу № 4, раздел III, п.18)

об утверждении
основной
программы

Наименование     "Разработка и освоение серий цифровых,
подпрограммы     цифро-аналоговых, аналоговых интегральных микросхем
                 для аппаратуры специального назначения и двойного
                 применения"

Уровень, дата
и номер решений:

о разработке     Протокол совместного совещания представителей
подпрограммы     Минпрома Беларуси, Миноборонпрома России и
                 Исполнительного Комитета Сообщества Беларуси и
                 России от 24.01.97 г.

об утверждении   Постановление Исполкома Союза Беларуси и России
подпрограммы     от 12 февраля 1999 г. № 2

об утверждении   Постановление Совета Министров Союзного государства
предложения по   от "__" ______________ 2003 г. № ______
продлению на
один год срока
реализации
подпрограммы и
по ее изменению

Государственный  Министерство промышленности, науки и технологий
заказчик-        Российской Федерации
координатор

Государственный  Министерство промышленности Республики Беларусь
заказчик

Основные         Головной исполнитель - научно-техническая
разработчики     ассоциация "Субмикро", генеральный директор Евсеевич
и исполнители    Петухов Анатолий - руководитель подпрограммы;
подпрограммы     124482, Москва, Зеленоград, корп.313А,
                 тел.(095)536-5011, факс (095)536-6934
                 Исполнители:
                 от Республики Беларусь: УП "Белмикросистемы"
                 НПО "Интеграл" (г.Минск);
                 от Российской Федерации: ОАО "Ангстрем",
                 ОАО "НИИМЭ и Микрон" (г.Москва)

Цели и задачи    Разработка и освоение серий цифровых,
подпрограммы,    цифро-аналоговых, аналоговых микросхем для
важнейшие        приоритетных отраслей промышленности, бытовой
целевые          техники и аппаратуры специального и двойного
показатели       назначения.
                 Разработка микросхем для изделий спецтехники,
                 включая интегральные схемы повышенной устойчивости
                 к специальным факторам, повышенной
                 помехозащищенности и надежности, в соответствии с
                 реализуемыми и перспективными программами создания
                 систем вооружений и военной техники (включая
                 автоматизированные системы управления и
                 специальную бортовую аппаратуру).
                 Разработка ряда новых технологий для создания
                 электронной элементной базы

Сроки и этапы    Выполнение всех заданий подпрограммы планируется
реализации       на период со II кв. 2000 г. по IV кв. 2004 г.
подпрограммы     На первом этапе разрабатываются комплекты эскизной
                 конструкторской и технологической документации
                 (ЭКД, ЭТД), изготавливаются экспериментальные
                 образцы.
                 На втором этапе планируется изготовление опытных
                 образцов, комплектов КД и ТД.
                 На третьем этапе планируется серийное освоение
                 разработанных изделий и технологических процессов

Перечень         Раздел 1 "Разработка и освоение серий цифровых,
составных частей аналоговых и цифро-аналоговых интегральных
подпрограммы и   микросхем двойного применения", в том числе 16- и
основных         32-разрядных процессоров и микроконтроллеров,
мероприятий, их  специализированных БИС ЦОС, контроллеров ЖКИ,
исполнители,     стандартных линейных микросхем, БМК от 10 до 100 К
сроки реализации вентилей, аналого-цифровых матриц на основе КМОП
                 технологий, операционных усилителей.
                 УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл", ОАО
                 "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
                 2000-2004 гг.
                 Раздел 2 "Разработка и освоение серий цифровых,
                 аналоговых и цифро-аналоговых интегральных
                 микросхем специального назначения", в том числе
                 серий стандартных цифровых логических интегральных
                 схем, 1 М и 2 М КМОП СБИС ПЗУ, устойчивых к
                 специальным факторам.
                 УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл", ОАО
                 "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
                 2000-2004 гг.
                 Раздел 3: "Разработка технологии создания
                 электронной элементной базы".
                 УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл",
                 ОАО "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
                 2000-2004 гг.

Объемы и         Подпрограмма финансируется на 38,2% за счет средств
основные         бюджета Союза Беларуси и России и Союзного
источники        государства, а на 61,8% - за счет внебюджетных
финансирования,  средств.
направления      Средства бюджета Союза Беларуси и России и Союзного
расходования     государства направляются на выполнение ОКР.
финансовых       Внебюджетные средства направляются на обеспечение
средств. Всего,  выполнения ОКР и на внедрение их результатов в
в т.ч. по годам  производство на предприятиях - исполнителях
                 подпрограммы

                                                     (тыс. российских рублей)
-----------------------------T------T-------T-------T-------T-------T-------¬
¦   Объемы и распределение   ¦Всего ¦2000 г.¦2001 г.¦2002 г.¦2003 г.¦2004 г.¦
¦          расходов          ¦      ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦
+----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+-------+
¦Всего                       ¦345700¦ 19157 ¦ 71150 ¦ 53560 ¦ 89540 ¦112293 ¦
¦из них: Республика Беларусь ¦142200¦   -   ¦ 22803 ¦ 20074 ¦ 39490 ¦ 59833 ¦
¦        Российская Федерация¦203500¦ 19157 ¦ 48347 ¦ 33486 ¦ 50050 ¦ 52460 ¦
¦в том числе:                ¦      ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦
+----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+-------+
¦Средства бюджета Союзного   ¦      ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦
¦государства                 ¦      ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦
¦всего                       ¦132207¦ 19157 ¦ 45900 ¦ 20150 ¦ 26984 ¦ 20016 ¦
¦из них: Республика Беларусь ¦ 39807¦   -   ¦ 15103 ¦  8664 ¦  8484 ¦  7556 ¦
¦        Российская Федерация¦ 92400¦ 19157 ¦ 30797 ¦ 11486 ¦ 18500 ¦ 12460 ¦
¦                            ¦      ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦
+----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+-------+
¦Внебюджетные средства       ¦      ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       ¦
¦всего                       ¦213493¦   -   ¦ 25250 ¦ 33410 ¦ 62556 ¦ 92277 ¦
¦из них: Республика Беларусь ¦102393¦   -   ¦  7700 ¦ 11410 ¦ 31006 ¦ 52277 ¦
¦        Российская Федерация¦111100¦   -   ¦ 17550 ¦ 22000 ¦ 31550 ¦ 40000 ¦
L----------------------------+------+-------+-------+-------+-------+--------

Конечные         Разработка, организация производства и поставки серий новых
результаты       микросхем для систем вооружений и военной техники,
реализации       приоритетных отраслей промышленности (машиностроения,
подпрограммы,    средств связи и телекоммуникаций, бытовой техники и др.).
сроки            Сроки окупаемости в зависимости от типа изделия составят от
возвратности     2 до 4 лет
средств

Система          Работы головного исполнителя и исполнителей подпрограммы
организации и    организуют и контролируют Государственный
контроля за      заказчик-координатор и Государственный заказчик. Общий
исполнением      контроль осуществляет Постоянный Комитет Союзного
подпрограммы     государства




<<< Главная страница | < Назад

<<<<                                                                                         >>>>


Новости партнеров
pravo.kulichki.ru ::: pravo.kulichki.com ::: pravo.kulichki.net
2004-2015 Республика Беларусь
Rambler's Top100
Разное


Разное
Спецпроект "Тюрьма"

 

Право России